在开发板(特别是基于英飞凌 TLE9893-2QK 这类三相电机驱动器的开发板)上,标记为 DSH 的二极管,其作用几乎可以肯定是为了构建高边驱动的“自举电路”。
以下是详细解释:
核心目的:为高边 MOSFET/IGBT 驱动提供浮动电源
- 在半桥或全桥(H桥)结构中:
- 低边开关(连接到地)的驱动电路参考点是系统地(GND),为其提供电源(通常是 VBAT 或 VDD)相对简单。
- 高边开关(连接在电源 VBAT 和输出相线之间)的源极/发射极电压会随着开关状态在 GND 和 VBAT 之间剧烈跳动。这意味着其驱动电路的参考点(源极/发射极)不是固定的,而是浮动的。
- 要可靠地导通高边开关,驱动电路需要在其源极/发射极(浮动的参考点)基础上提供一个比该点电压高出一定值(通常是 VGH,如 10-15V)的栅极/基极电压。
- 挑战: 如何在源极/发射极电压达到接近 VBAT(例如 12V 或 24V)时,仍然能在其上叠加一个 +10~15V 的驱动电压?
解决方案:自举电路
- 自举电路是利用低边开关导通时产生的压差,通过一个电容(自举电容 CBOOT)和一个二极管(就是 DSH)来为高边驱动产生浮动电源的经典方法。
- 工作原理:
- 低边开关导通期:
- 低边开关导通,将对应相的相线(如 U, V, W)拉低至接近 GND(忽略导通压降 VSAT)。
- 此时,高边开关的源极/发射极(即相线电压)也接近 GND。
- DSH 二极管导通: 自举电源(通常由 VDD 或一个低压稳压器提供,如 5V 或 12V)通过 DSH 给自举电容 CBOOT 充电。CBOOT 的一端连接到相线(≈GND),另一端通过 DSH 连接到 VBOOT_SUPPLY。因此,电容两端电压被充电到接近 VBOOT_SUPPLY(减去 DSH 的正向压降 VF)。
- 高边开关需要导通:
- 低边开关关断。
- 需要导通高边开关。
- 高边驱动电路的电源引脚(通常标记为 VB 或 VBS)连接到自举电容 CBOOT 的上端(未连接二极管的一端)。
- 高边驱动电路的参考地引脚(通常标记为 VS 或 SOURCE)连接到高边开关的源极/发射极(即相线)。
- 高边开关导通期:
- 当高边开关开始导通时,其源极/发射极(相线)电压从 GND 开始升高。
- 与此同时,DSH 二极管反向截止(因为其阴极电压 VBOOT_SUPPLY 远低于此时升高的相线电压加上存储在 CBOOT 上的电压)。
- 关键点: 由于 DSH 已经截止,自举电容 CBOOT 与其上存储的电荷(≈ VBOOT_SUPPLY)被“举升”起来。电容的下端(连接VS)随着相线电压升高到接近 VBAT,电容的上端(连接VB)电压也随之升高到 VBAT + (VBOOT_SUPPLY - VF)。
- 这个升高的电压 VB 为高边驱动电路提供了电源,使其能够在浮动的高位参考点 VS 上产生一个比 VS 高出 VBOOT_SUPPLY - VF 的驱动电压,从而可靠地导通高边开关。
DSH 二极管的关键作用:
- 单向导通充电: 在低边导通期间允许电流从 VBOOT_SUPPLY 流向自举电容 CBOOT,对其进行充电。
- 反向隔离: 在高边导通期间阻止电流从已充电升高的自举电容 VB 脚流回 VBOOT_SUPPLY 电源(防止短路和能量回流)。
- 维持浮动电源: 其截止状态使得自举电容能够在高边开关导通期间维持其浮动电源,不受 VBOOT_SUPPLY 电压钳位的影响。
对 DSH 二极管的要求(为什么通常会选择肖特基二极管):
- 低正向压降: 为了最大化存储在 CBOOT 上的有效电压 (VBOOT_SUPPLY - VF),需要尽可能小的正向压降 VF(肖特基二极管在此优于普通硅二极管)。
- 快速反向恢复时间: 在高频开关应用中,当低边再次导通、相线电压下降时,二极管需要非常快速地由截止状态转变为导通状态。慢的反向恢复会产生较大的功耗和噪声,甚至可能导致电路工作异常。肖特基二极管是多数载流子器件,没有少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短(接近理想开关),非常适合高频自举应用。
- 足够的反向电压额定值: 在高边导通期间,DSH 阴极电压是其阳极电压加上 VBOOT_SUPPLY - VF,阳极电压接近 VBAT。因此,DSH 需要承受 VBAT + (VBOOT_SUPPLY - VF) 的反向电压。必须选择 VRRM 高于此值的二极管。
总结
在基于 TLE9893-2QK(或其他类似三相驱动器)的开发板上,标记为 DSH 的二极管是构成 高边驱动自举电路 的关键元件。它的核心作用是:
- 在低边开关导通时,允许电流单向流过,为自举电容充电。
- 在高边开关导通时,反向截止,隔离自举电容与低压电源,使电容电压能够“自举”升高,为高边驱动器提供浮动电源,确保高边开关可靠导通。
它通常选择低压降、超快恢复(通常是肖特基)二极管,以满足高频开关和效率的要求。在评估 TLE9893-2QK 开发板时,这个二极管(DSH)及其配套的自举电容(CBOOT)是实现三相桥臂高边驱动功能正常运行不可或缺的部分。
在开发板(特别是基于英飞凌 TLE9893-2QK 这类三相电机驱动器的开发板)上,标记为 DSH 的二极管,其作用几乎可以肯定是为了构建高边驱动的“自举电路”。
以下是详细解释:
核心目的:为高边 MOSFET/IGBT 驱动提供浮动电源
- 在半桥或全桥(H桥)结构中:
- 低边开关(连接到地)的驱动电路参考点是系统地(GND),为其提供电源(通常是 VBAT 或 VDD)相对简单。
- 高边开关(连接在电源 VBAT 和输出相线之间)的源极/发射极电压会随着开关状态在 GND 和 VBAT 之间剧烈跳动。这意味着其驱动电路的参考点(源极/发射极)不是固定的,而是浮动的。
- 要可靠地导通高边开关,驱动电路需要在其源极/发射极(浮动的参考点)基础上提供一个比该点电压高出一定值(通常是 VGH,如 10-15V)的栅极/基极电压。
- 挑战: 如何在源极/发射极电压达到接近 VBAT(例如 12V 或 24V)时,仍然能在其上叠加一个 +10~15V 的驱动电压?
解决方案:自举电路
- 自举电路是利用低边开关导通时产生的压差,通过一个电容(自举电容 CBOOT)和一个二极管(就是 DSH)来为高边驱动产生浮动电源的经典方法。
- 工作原理:
- 低边开关导通期:
- 低边开关导通,将对应相的相线(如 U, V, W)拉低至接近 GND(忽略导通压降 VSAT)。
- 此时,高边开关的源极/发射极(即相线电压)也接近 GND。
- DSH 二极管导通: 自举电源(通常由 VDD 或一个低压稳压器提供,如 5V 或 12V)通过 DSH 给自举电容 CBOOT 充电。CBOOT 的一端连接到相线(≈GND),另一端通过 DSH 连接到 VBOOT_SUPPLY。因此,电容两端电压被充电到接近 VBOOT_SUPPLY(减去 DSH 的正向压降 VF)。
- 高边开关需要导通:
- 低边开关关断。
- 需要导通高边开关。
- 高边驱动电路的电源引脚(通常标记为 VB 或 VBS)连接到自举电容 CBOOT 的上端(未连接二极管的一端)。
- 高边驱动电路的参考地引脚(通常标记为 VS 或 SOURCE)连接到高边开关的源极/发射极(即相线)。
- 高边开关导通期:
- 当高边开关开始导通时,其源极/发射极(相线)电压从 GND 开始升高。
- 与此同时,DSH 二极管反向截止(因为其阴极电压 VBOOT_SUPPLY 远低于此时升高的相线电压加上存储在 CBOOT 上的电压)。
- 关键点: 由于 DSH 已经截止,自举电容 CBOOT 与其上存储的电荷(≈ VBOOT_SUPPLY)被“举升”起来。电容的下端(连接VS)随着相线电压升高到接近 VBAT,电容的上端(连接VB)电压也随之升高到 VBAT + (VBOOT_SUPPLY - VF)。
- 这个升高的电压 VB 为高边驱动电路提供了电源,使其能够在浮动的高位参考点 VS 上产生一个比 VS 高出 VBOOT_SUPPLY - VF 的驱动电压,从而可靠地导通高边开关。
DSH 二极管的关键作用:
- 单向导通充电: 在低边导通期间允许电流从 VBOOT_SUPPLY 流向自举电容 CBOOT,对其进行充电。
- 反向隔离: 在高边导通期间阻止电流从已充电升高的自举电容 VB 脚流回 VBOOT_SUPPLY 电源(防止短路和能量回流)。
- 维持浮动电源: 其截止状态使得自举电容能够在高边开关导通期间维持其浮动电源,不受 VBOOT_SUPPLY 电压钳位的影响。
对 DSH 二极管的要求(为什么通常会选择肖特基二极管):
- 低正向压降: 为了最大化存储在 CBOOT 上的有效电压 (VBOOT_SUPPLY - VF),需要尽可能小的正向压降 VF(肖特基二极管在此优于普通硅二极管)。
- 快速反向恢复时间: 在高频开关应用中,当低边再次导通、相线电压下降时,二极管需要非常快速地由截止状态转变为导通状态。慢的反向恢复会产生较大的功耗和噪声,甚至可能导致电路工作异常。肖特基二极管是多数载流子器件,没有少数载流子存储效应,因此反向恢复时间极短(接近理想开关),非常适合高频自举应用。
- 足够的反向电压额定值: 在高边导通期间,DSH 阴极电压是其阳极电压加上 VBOOT_SUPPLY - VF,阳极电压接近 VBAT。因此,DSH 需要承受 VBAT + (VBOOT_SUPPLY - VF) 的反向电压。必须选择 VRRM 高于此值的二极管。
总结
在基于 TLE9893-2QK(或其他类似三相驱动器)的开发板上,标记为 DSH 的二极管是构成 高边驱动自举电路 的关键元件。它的核心作用是:
- 在低边开关导通时,允许电流单向流过,为自举电容充电。
- 在高边开关导通时,反向截止,隔离自举电容与低压电源,使电容电压能够“自举”升高,为高边驱动器提供浮动电源,确保高边开关可靠导通。
它通常选择低压降、超快恢复(通常是肖特基)二极管,以满足高频开关和效率的要求。在评估 TLE9893-2QK 开发板时,这个二极管(DSH)及其配套的自举电容(CBOOT)是实现三相桥臂高边驱动功能正常运行不可或缺的部分。
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