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[问答]

Aurix TC3xx从HSM写入DFLASH1时出现SQER错误，怎么解决？

我在使用 Aurix TC364 从 HSM 写入 DFLASH1 时遇到 SQER 错误。
使用的顺序如下：
- 验证地址 0xAFC00000、0xAFC10000、0xAFC11000 处的已擦除页面……
- 进入页面模式
- @0xF00400C0 <- 0xAF000000（加载页面开始）
- @0xF00555F0 <- 第一个 32 位值
-@0xF00400C0 <- 0xAF000000
- @0xF00555F4 <- 第二个 32 位值
- @0xF00400C0 <- 0xAF000000（写入页面开始）
-@0xF005AA50 <- 0xAFC10000
-@0xF00400C0 <- 0xAF000000
-@0xF005AA58 <- 0
-@0xF00400C0 <- 0xAF000000
-@0xF005AAA8 <- 0xA0
-@0xF00400C0 <- 0xAF000000
-@0xF005AAA8 <- 0xAA
我尝试仅使用只有一个 32 位值的 Load Page 命令，但结果是一样的。你知道什么地方可能出错吗？

回帖（1）

王飞云

2025-8-13 17:50:56

在 Aurix TC3xx 中，从 HSM 写入 DFLASH1 时出现 SQER (Sequence Error) 通常是由于命令序列不符合闪存控制器的要求。根据您提供的操作序列，以下是问题分析和解决方案：

问题分析

错误的命令序列：
- DFLASH 编程需要严格的命令序列：Load Page Start (0x40) → 写入 8 个数据字 → Page Write (0x47)。
- 您的序列中：
  - 缺少明确的 0x40（加载页面开始命令）。
  - 未正确写入 8 个数据字到页面缓冲区。
  - 0x47（页面写入命令）的触发地址错误（应为目标 DFLASH 地址，而非寄存器地址）。

寄存器地址误用：
- 0xF00400C0 是 FLASH1_FSR（状态寄存器），向其写入数据无意义。
- 0xF00555F0、0xF005AA50 等地址属于 PFLASH 空间，而不是 DFLASH 的页面缓冲区地址。

页面缓冲区地址错误：
- DFLASH1 的页面缓冲区基地址应为 0xF0050000（参考 TC3xx 手册）。
- 您使用的 0xF00555F0 等地址不正确。

关键命令缺失：
- 未发送 0x40 初始化页面缓冲区。
- 未发送 0x47 到目标 DFLASH 地址触发写入。

解决方案

1. 正确的命令序列

// 步骤 1: 初始化页面缓冲区 (Load Page Start)

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = 0x40;  // 基地址: DFLASH1 页面缓冲区 (0xF0050000)

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 FSR.BUSY=0



// 步骤 2: 写入 8 个连续数据字（32-bit）到页面缓冲区

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = data0; // 地址偏移 +0

*(volatile uint32_t *)0xF0050004 = data1; // 地址偏移 +4

...

*(volatile uint32_t *)0xF005001C = data7; // 地址偏移 +28 (共 8 个字)

// 每次写入后无需额外命令，但需检查 BUSY（如有必要）



// 步骤 3: 触发页面写入 (Page Write) 到目标 DFLASH 地址

*(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x47;  // 目标地址必须是合法的 DFLASH 地址

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 BUSY=0

关键点：

页面缓冲区地址：0xF0050000（DFLASH1 专用）。

0x47 必须写入 目标 DFLASH 物理地址（如 0xAFC10000），而非寄存器地址。

2. 其他注意事项

等待 BUSY 清除：
- 每次命令后检查 FSR.BUSY（地址 0xF00400C0 的 bit0），确保前一个操作完成。

地址对齐：
- DFLASH 页面大小为 256 字节（64 个 32 位字）。目标地址（如 0xAFC10000）必须对齐到页面边界。

HSM 权限：
- 确保 HSM 固件有权访问 DFLASH1。检查 UCB_DFLASH 权限配置。

错误处理：

检查 FSR 寄存器错误标志（如 SQER、PROER）：

if (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x2) { 

// 处理 SQER 错误

*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 |= 0x2; // 写 1 清除错误标志

}

3. 调试建议

验证 DFLASH 状态：
- 确保目标页面已擦除（全为 0xFFFFFFFF）。
- 使用 0x71（Verify All One）命令校验：
```
*(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x71; // 发送校验命令

while (FSR.BUSY);

if (FSR.VER) { /* 验证失败 */ }
```

简化测试用例：
- 仅写入单页（8 个数据字），避免复杂数据流。
- 示例数据：{0x12345678, 0x00000000, ..., 0xFFFFFFFF}。

检查寄存器映射：
- 确认 HSM 使用的 DFLASH 控制器寄存器：
  - 命令寄存器：FLASH1_FCR = 0xF00400C4
  - 状态寄存器：FLASH1_FSR = 0xF00400C0
- 不要直接向 FSR 写入数据（除非清除错误标志）。

修正后的完整示例

#define DFLASH_PAGE_BASE   0xF0050000 // DFLASH1 页面缓冲区

#define DFLASH_TARGET_ADDR 0xAFC10000 // DFLASH 目标地址

#define FSR                (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0)



void write_dflash_page(uint32_t *data) {

    // 1. 初始化页面

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_PAGE_BASE = 0x40; // Load Page Start

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 2. 写入 8 个数据字

    for (int i = 0; i < 8; i++) {

        *(volatile uint32_t *)(DFLASH_PAGE_BASE + i*4) = data[i];

        // 可选：添加短延时或检查 BUSY（若需严格时序）

    }



    // 3. 触发写入

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_TARGET_ADDR = 0x47; // Page Write

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 4. 检查错误

    if (FSR & 0x2) {

        // 处理 SQER 错误

        FSR |= 0x2; // 清除错误标志

    }

}

通过遵循正确的命令序列和地址映射，即可解决 SQER 错误。如果问题仍存在，请检查：

HSM 对 DFLASH 的访问权限（UCB 配置）。

时钟初始化（确保闪存控制器时钟使能）。

电压稳定性（低电压可能导致闪存操作失败）。

问题分析

错误的命令序列：
- DFLASH 编程需要严格的命令序列：Load Page Start (0x40) → 写入 8 个数据字 → Page Write (0x47)。
- 您的序列中：
  - 缺少明确的 0x40（加载页面开始命令）。
  - 未正确写入 8 个数据字到页面缓冲区。
  - 0x47（页面写入命令）的触发地址错误（应为目标 DFLASH 地址，而非寄存器地址）。

寄存器地址误用：
- 0xF00400C0 是 FLASH1_FSR（状态寄存器），向其写入数据无意义。
- 0xF00555F0、0xF005AA50 等地址属于 PFLASH 空间，而不是 DFLASH 的页面缓冲区地址。

页面缓冲区地址错误：
- DFLASH1 的页面缓冲区基地址应为 0xF0050000（参考 TC3xx 手册）。
- 您使用的 0xF00555F0 等地址不正确。

关键命令缺失：
- 未发送 0x40 初始化页面缓冲区。
- 未发送 0x47 到目标 DFLASH 地址触发写入。

解决方案

1. 正确的命令序列

// 步骤 1: 初始化页面缓冲区 (Load Page Start)

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = 0x40;  // 基地址: DFLASH1 页面缓冲区 (0xF0050000)

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 FSR.BUSY=0



// 步骤 2: 写入 8 个连续数据字（32-bit）到页面缓冲区

*(volatile uint32_t *)0xF0050000 = data0; // 地址偏移 +0

*(volatile uint32_t *)0xF0050004 = data1; // 地址偏移 +4

...

*(volatile uint32_t *)0xF005001C = data7; // 地址偏移 +28 (共 8 个字)

// 每次写入后无需额外命令，但需检查 BUSY（如有必要）



// 步骤 3: 触发页面写入 (Page Write) 到目标 DFLASH 地址

*(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x47;  // 目标地址必须是合法的 DFLASH 地址

while ((*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x1) != 0); // 等待 BUSY=0

关键点：

页面缓冲区地址：0xF0050000（DFLASH1 专用）。

0x47 必须写入 目标 DFLASH 物理地址（如 0xAFC10000），而非寄存器地址。

2. 其他注意事项

等待 BUSY 清除：
- 每次命令后检查 FSR.BUSY（地址 0xF00400C0 的 bit0），确保前一个操作完成。

地址对齐：
- DFLASH 页面大小为 256 字节（64 个 32 位字）。目标地址（如 0xAFC10000）必须对齐到页面边界。

HSM 权限：
- 确保 HSM 固件有权访问 DFLASH1。检查 UCB_DFLASH 权限配置。

错误处理：

检查 FSR 寄存器错误标志（如 SQER、PROER）：

if (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 & 0x2) { 

// 处理 SQER 错误

*(volatile uint32_t *)0xF00400C0 |= 0x2; // 写 1 清除错误标志

}

3. 调试建议

验证 DFLASH 状态：
- 确保目标页面已擦除（全为 0xFFFFFFFF）。
- 使用 0x71（Verify All One）命令校验：
```
*(volatile uint32_t *)0xAFC10000 = 0x71; // 发送校验命令

while (FSR.BUSY);

if (FSR.VER) { /* 验证失败 */ }
```

简化测试用例：
- 仅写入单页（8 个数据字），避免复杂数据流。
- 示例数据：{0x12345678, 0x00000000, ..., 0xFFFFFFFF}。

检查寄存器映射：
- 确认 HSM 使用的 DFLASH 控制器寄存器：
  - 命令寄存器：FLASH1_FCR = 0xF00400C4
  - 状态寄存器：FLASH1_FSR = 0xF00400C0
- 不要直接向 FSR 写入数据（除非清除错误标志）。

修正后的完整示例

#define DFLASH_PAGE_BASE   0xF0050000 // DFLASH1 页面缓冲区

#define DFLASH_TARGET_ADDR 0xAFC10000 // DFLASH 目标地址

#define FSR                (*(volatile uint32_t *)0xF00400C0)



void write_dflash_page(uint32_t *data) {

    // 1. 初始化页面

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_PAGE_BASE = 0x40; // Load Page Start

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 2. 写入 8 个数据字

    for (int i = 0; i < 8; i++) {

        *(volatile uint32_t *)(DFLASH_PAGE_BASE + i*4) = data[i];

        // 可选：添加短延时或检查 BUSY（若需严格时序）

    }



    // 3. 触发写入

    *(volatile uint32_t *)DFLASH_TARGET_ADDR = 0x47; // Page Write

    while (FSR & 0x1); // 等待 BUSY=0



    // 4. 检查错误

    if (FSR & 0x2) {

        // 处理 SQER 错误

        FSR |= 0x2; // 清除错误标志

    }

}

通过遵循正确的命令序列和地址映射，即可解决 SQER 错误。如果问题仍存在，请检查：

HSM 对 DFLASH 的访问权限（UCB 配置）。

时钟初始化（确保闪存控制器时钟使能）。

电压稳定性（低电压可能导致闪存操作失败）。

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解决方案

1. 正确的命令序列

2. 其他注意事项

3. 调试建议

修正后的完整示例

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1. 正确的命令序列

2. 其他注意事项

3. 调试建议

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