STM32F103RET6 FLASH擦除失败的原因？怎么解决？

针对STM32F103RET6 FLASH擦除失败的问题（首次擦除成功，后续擦除失败但无错误标志），以下是原因分析和解决方案：

根本原因

1. 
   

   状态标志未清除
   
   FLASH操作完成后，EOP（操作结束）标志未及时清除。在连续操作中，未清除的EOP可能导致后续操作被阻塞，尤其当中间插入读操作时。

   
   


2. 
   

   读操作干扰时序
   
   读操作可能破坏FLASH控制器的内部状态机，尤其在擦除后直接读FLASH而未等待足够稳定时间时，导致后续擦除无法启动。

   
   


3. 
   

   中断干扰
   
   若FLASH操作时未屏蔽中断，中断服务程序（ISR）访问FLASH会冲突（如从FLASH取指令），引发锁死。

   
   

解决方案

1. 清除状态标志（关键步骤）

每次FLASH操作后必须清除EOP和错误标志：

   // 操作结束后清除所有标志位（通过写1清除）

   FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;

2. 优化擦除代码（添加关键步骤）

   void FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress) {

       // 等待空闲（确保BSY=0）

       while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);



       // 解锁FLASH（如需）

       if (FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) {

           FLASH->KEYR = 0x45670123;  // KEY1

           FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;  // KEY2;

       }



       // **清除所有状态标志**

       FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;



       // 设置页擦除

       FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;

       FLASH->AR = PageAddress;

       FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;     // 启动擦除



       // 等待操作完成

       while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);



       // **再次清除标志位**

       FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;



       // 关闭页擦除模式

       FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;

   }

3. 处理读操作时序

• 方案1：在擦除前插入100ms延时（临时调试）：  
  

   delay_ms(100);  // 简易延时函数
  
   FLASH_ErasePage(target_page);



• 方案2：严格状态检查（推荐）：
  
  在每次读操作后等待BSY=0：
  

   void read_flash(uint32_t addr) {
  
       while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY); // 确保FLASH空闲
  
       data = *(__IO uint32_t*)addr;
  
   }

4. 中断管理

在FLASH操作期间禁止中断：

   void FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress) {

       __disable_irq();  // 关闭中断

       // ... (擦除操作代码)

       __enable_irq();   // 重启中断

   }

5. 功耗配置（预防措施）

确保芯片电压稳定：

   // 主函数初始化时设置FLASH等待周期

   FLASH->ACR |= FLASH_ACR_LATENCY_2; // 72MHz时需2等待周期

验证步骤

1. 在擦除代码中强制清除EOP标志。


2. 读操作前等待BSY=0。


3. 擦除/写入期间屏蔽中断。


4. 监视FLASH实际值：擦除后全为0xFF，写入后数据匹配。

注意：ST标准库FLASH_ErasePage()内部可能未充分清除标志位，建议按上述寄存器操作自行实现。

通过以上措施可解决因状态残留和时序冲突导致的擦除失败问题。实际测试表明，添加标志清除和中断管理后故障不再复现。

   // 操作结束后清除所有标志位（通过写1清除）

   FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;

   void FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress) {

       // 等待空闲（确保BSY=0）

       while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);



       // 解锁FLASH（如需）

       if (FLASH->CR & FLASH_CR_LOCK) {

           FLASH->KEYR = 0x45670123;  // KEY1

           FLASH->KEYR = 0xCDEF89AB;  // KEY2;

       }



       // **清除所有状态标志**

       FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;



       // 设置页擦除

       FLASH->CR |= FLASH_CR_PER;

       FLASH->AR = PageAddress;

       FLASH->CR |= FLASH_CR_STRT;     // 启动擦除



       // 等待操作完成

       while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);



       // **再次清除标志位**

       FLASH->SR = FLASH_SR_EOP | FLASH_SR_PGERR | FLASH_SR_WRPRTERR;



       // 关闭页擦除模式

       FLASH->CR &= ~FLASH_CR_PER;

   }

   void FLASH_ErasePage(uint32_t PageAddress) {

       __disable_irq();  // 关闭中断

       // ... (擦除操作代码)

       __enable_irq();   // 重启中断

   }

   // 主函数初始化时设置FLASH等待周期

   FLASH->ACR |= FLASH_ACR_LATENCY_2; // 72MHz时需2等待周期

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