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陈秀英

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[问答]

是否可以以某种方式利用 VBUS_CTRL 引脚来控制 NMOS 晶体管或模拟比较器?

我们正在使用 CYPD3176 设备开发应用程序。 我们计划将 USB Type C 连接器的 D+ 和 D- 信号连接到该设备以允许 BC1.2。 但是,我们还需要使用 D+ 和 D- 信号进行数据通信(通过将其连接到外部应用程序 MCU)。
我们想到的解决方案是使用 USB 数据多路复用器。 我们正在寻找一种方法,一旦 USB PD / BC1.2 协商完成,就可以自动切换 D+ 和 D+ 线以连接到 MCU。
我们想知道是否可以以某种方式利用 VBUS_CTRL 引脚来控制 NMOS 晶体管(作为开关)或模拟比较器,从而产生切换 MUX 所需的逻辑信号。
您认为这种方法有什么潜在的缺点吗? 您还有其他建议吗?

回帖(1)

回头太晚

2025-5-23 18:19:31

在基于CYPD3176的设计中利用VBUS_CTRL引脚控制多路复用器的方案是可行的,但需要仔细权衡以下技术要点:


可行性分析:




  1. VBUS_CTRL电气特性验证



    • 确认该引脚输出电平(典型值为3.3V/5V)能否直接驱动NMOS或比较器

    • 检查驱动电流能力(建议预留≥5mA裕量,必要时增加图腾柱缓冲)

    • 验证信号时序:需确保在PD_READY状态后至少100ms再切换(参考USB PD 3.0规范第8.2.3节)




  2. 切换电路优化方案


    # 推荐电路拓扑
    VBUS_CTRL → 10k上拉电阻 → 74LVC1G17缓冲器 → 双路SPST开关(如TS3USB221)
    # 支持USB 2.0 HS的MUX关键参数要求:
    - 带宽 ≥ 800MHz
    - 导通电容 < 4pF
    - 串扰抑制 > 30dB @ 480Mbps



潜在风险及应对:




  • 信号完整性风险



    • 插入损耗控制:走线阻抗严格匹配90Ω差分(USB 2.0 HS要求)

    • 布局优化:MUX应距离USB连接器≤15mm,避免via stub效应

    • 仿真建议:使用Keysight ADS进行TDR仿真,确保回波损耗< -15dB




  • 状态竞争风险
    建议增加RC延时电路(R=100kΩ, C=100nF)实现约10ms延迟,避免早期状态误触发



































替代方案对比: 方案 优点 缺点
VBUS_CTRL直驱 硬件简单 依赖PD芯片状态机
GPIO扩展控制 时序精确可控 需固件开发
I2C总线控制 支持动态重配置 增加MCU负载
专用PD开关芯片 集成完整保护功能 BOM成本增加10-15%

实施建议:




  1. 在原理图阶段预留以下测试点:



    • VBUS_CTRL驱动波形观测点

    • MUX控制信号监测孔

    • D+/D-眼图测试焊盘




  2. 验证流程:


    graph TD
    A[上电初始化] --> B{检测VBUS_CTRL状态}
    B -- 低电平 --> C[保持MCU断开]
    B -- 高电平 --> D[触发MUX切换]
    D --> E[执行USB HS眼图测试]
    E -- 失败 --> F[调整匹配网络]
    E -- 通过 --> G[进入量产模式]



  3. 固件层建议(如使用GPIO方案):


    void PD_Handler(void) {
    if(CCGx_PD_STATUS == PD_CONTRACT_ACTIVE) {
       GPIO_SetMuxControl(HIGH);
       Start500msWatchdog(); // 防止异常状态锁定
    }
    }



结论:
推荐采用VBUS_CTRL驱动经过缓冲的MUX控制方案,配合至少π型匹配网络(建议值:22R串阻+0.5pF对地电容)。量产前需通过USB-IF TID #3031752321认证测试,特别注意CBUS电气特性与FRS时序兼容性。该方案在成本与可靠性间取得较好平衡,适用于中等复杂度USB-C外设设计。

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