以下是使用CYUSB3KIT-003通过GPIO访问SRAM的分步指南及参考资料:
1. 硬件准备与连接
确认硬件接口:
- 查阅CYUSB3KIT-003的原理图,确认GPIO引脚分配(通常位于开发板文档中)。
- 确定SRAM的接口需求(地址线、数据线、控制信号如
CE、OE、WE等)。
- 确保GPIO数量足够(例如,16位地址 + 8位数据 + 控制线可能需要25+ GPIO)。
连接SRAM:
- 将FX3的GPIO引脚连接到SRAM的对应信号线。
- 注意电平匹配(3.3V vs 5V,必要时使用电平转换器)。
2. 开发环境与参考资料
关键文档:
- FX3 SDK:安装路径下的文档(如
CypressEZ-USB FX3 SDK1.3doc)。
- CYUSB3KIT-003用户指南:描述硬件接口和示例。
- AN75779:Cypress的GPIO和外部存储器应用笔记。
- SRAM数据手册:确认读写时序参数(如
tWC写周期时间)。
示例代码:
- SDK中的
GpioApp示例(学习GPIO配置)。
SlaveFIFO示例(理解USB数据传输)。
3. 固件开发(FX3端)
GPIO配置:
#include
// 初始化GPIO为输出(示例)
CyU3PGpioSimpleConfig_t addrPins[] = {
{CY_U3P_GPIO5, CY_U3P_GPIO_DIR_OUTPUT, CY_U3P_GPIO_DRIVE_PULLUP}, // 地址线A0
// ... 配置所有地址、数据、控制引脚
};
CyU3PGpioSetSimpleConfig(sizeof(addrPins)/sizeof(addrPins[0]), addrPins);
实现SRAM读写时序:
写操作:
- 设置地址线。
- 拉低
CE和WE。
- 输出数据到数据线。
- 延时满足
tWC。
- 释放
WE和CE。
读操作:
- 设置地址线。
- 拉低
CE和OE。
- 延时后读取数据线。
- 释放
OE和CE。
void sram_write(uint16_t addr, uint8_t data) {
// 设置地址线(假设使用GPIO5-20作为地址)
CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO5, (addr >> 0) & 0x1);
// ... 设置所有地址位
// 设置数据线为输出
CyU3PGpioSetIoMode(data_gpio, CY_U3P_GPIO_IO_MODE_STD);
// 控制信号
CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 0);
CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 0);
// 写入数据(假设数据线为GPIO21-28)
CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO21, (data >> 0) & 0x1);
// ... 设置所有数据位
CyU3PThreadSleep(10); // 根据tWC调整延时
CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 1);
CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 1);
}
4. PC端应用程序开发
5. 调试与验证
- 逻辑分析仪:检查GPIO时序是否符合SRAM要求。
- 分阶段测试:
- 验证地址线是否正确输出。
- 测试单个字节的写入/读取。
- 逐步扩展为连续读写。
常见问题
- GPIO速度不足:FX3 GPIO切换频率在MHz级别,对于低速SRAM足够,但需确保延时满足
tWC/tRC。
- 电平不匹配:使用3.3V转5V芯片(如74LVC4245)。
- GPIO数量不足:复用地址线(分高低字节)+ 锁存器。
通过以上步骤,结合SDK文档和示例代码,您可以逐步实现GPIO控制SRAM的功能。遇到具体问题时,可进一步分析时序或硬件连接。
以下是使用CYUSB3KIT-003通过GPIO访问SRAM的分步指南及参考资料:
1. 硬件准备与连接
确认硬件接口:
- 查阅CYUSB3KIT-003的原理图,确认GPIO引脚分配(通常位于开发板文档中)。
- 确定SRAM的接口需求(地址线、数据线、控制信号如
CE、OE、WE等)。
- 确保GPIO数量足够(例如,16位地址 + 8位数据 + 控制线可能需要25+ GPIO)。
连接SRAM:
- 将FX3的GPIO引脚连接到SRAM的对应信号线。
- 注意电平匹配(3.3V vs 5V,必要时使用电平转换器)。
2. 开发环境与参考资料
关键文档:
- FX3 SDK:安装路径下的文档(如
CypressEZ-USB FX3 SDK1.3doc)。
- CYUSB3KIT-003用户指南:描述硬件接口和示例。
- AN75779:Cypress的GPIO和外部存储器应用笔记。
- SRAM数据手册:确认读写时序参数(如
tWC写周期时间)。
示例代码:
- SDK中的
GpioApp示例(学习GPIO配置)。
SlaveFIFO示例(理解USB数据传输)。
3. 固件开发(FX3端)
GPIO配置:
#include
// 初始化GPIO为输出(示例)
CyU3PGpioSimpleConfig_t addrPins[] = {
{CY_U3P_GPIO5, CY_U3P_GPIO_DIR_OUTPUT, CY_U3P_GPIO_DRIVE_PULLUP}, // 地址线A0
// ... 配置所有地址、数据、控制引脚
};
CyU3PGpioSetSimpleConfig(sizeof(addrPins)/sizeof(addrPins[0]), addrPins);
实现SRAM读写时序:
写操作:
- 设置地址线。
- 拉低
CE和WE。
- 输出数据到数据线。
- 延时满足
tWC。
- 释放
WE和CE。
读操作:
- 设置地址线。
- 拉低
CE和OE。
- 延时后读取数据线。
- 释放
OE和CE。
void sram_write(uint16_t addr, uint8_t data) {
// 设置地址线(假设使用GPIO5-20作为地址)
CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO5, (addr >> 0) & 0x1);
// ... 设置所有地址位
// 设置数据线为输出
CyU3PGpioSetIoMode(data_gpio, CY_U3P_GPIO_IO_MODE_STD);
// 控制信号
CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 0);
CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 0);
// 写入数据(假设数据线为GPIO21-28)
CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO21, (data >> 0) & 0x1);
// ... 设置所有数据位
CyU3PThreadSleep(10); // 根据tWC调整延时
CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 1);
CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 1);
}
4. PC端应用程序开发
5. 调试与验证
- 逻辑分析仪:检查GPIO时序是否符合SRAM要求。
- 分阶段测试:
- 验证地址线是否正确输出。
- 测试单个字节的写入/读取。
- 逐步扩展为连续读写。
常见问题
- GPIO速度不足:FX3 GPIO切换频率在MHz级别,对于低速SRAM足够,但需确保延时满足
tWC/tRC。
- 电平不匹配:使用3.3V转5V芯片(如74LVC4245)。
- GPIO数量不足:复用地址线(分高低字节)+ 锁存器。
通过以上步骤,结合SDK文档和示例代码,您可以逐步实现GPIO控制SRAM的功能。遇到具体问题时,可进一步分析时序或硬件连接。
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