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张生

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如何使用CYUSB3KIT-003使用GPIO访问SRAM的应用程序?

你好。我是CYUSB3的初学者。
我想创建一个使用 CYUSB3KIT-003 使用 GPIO 访问 SRAM 的应用程序。
目前我已经在我的电脑上安装了SDK,但是有什么参考资料吗?

回帖(1)

唯爱萌meng

2025-5-20 18:13:20

以下是使用CYUSB3KIT-003通过GPIO访问SRAM的分步指南及参考资料:




1. 硬件准备与连接




  • 确认硬件接口



    • 查阅CYUSB3KIT-003的原理图,确认GPIO引脚分配(通常位于开发板文档中)。

    • 确定SRAM的接口需求(地址线、数据线、控制信号如CEOEWE等)。

    • 确保GPIO数量足够(例如,16位地址 + 8位数据 + 控制线可能需要25+ GPIO)。




  • 连接SRAM



    • 将FX3的GPIO引脚连接到SRAM的对应信号线。

    • 注意电平匹配(3.3V vs 5V,必要时使用电平转换器)。






2. 开发环境与参考资料




  • 关键文档



    1. FX3 SDK:安装路径下的文档(如CypressEZ-USB FX3 SDK1.3doc)。

    2. CYUSB3KIT-003用户指南:描述硬件接口和示例。

    3. AN75779:Cypress的GPIO和外部存储器应用笔记。

    4. SRAM数据手册:确认读写时序参数(如tWC写周期时间)。




  • 示例代码



    • SDK中的GpioApp示例(学习GPIO配置)。

    • SlaveFIFO示例(理解USB数据传输)。






3. 固件开发(FX3端)




  • GPIO配置


    #include 

    // 初始化GPIO为输出(示例)
    CyU3PGpioSimpleConfig_t addrPins[] = {
      {CY_U3P_GPIO5, CY_U3P_GPIO_DIR_OUTPUT, CY_U3P_GPIO_DRIVE_PULLUP},  // 地址线A0
      // ... 配置所有地址、数据、控制引脚
    };
    CyU3PGpioSetSimpleConfig(sizeof(addrPins)/sizeof(addrPins[0]), addrPins);



  • 实现SRAM读写时序




    • 写操作



      1. 设置地址线。

      2. 拉低CEWE

      3. 输出数据到数据线。

      4. 延时满足tWC

      5. 释放WECE




    • 读操作



      1. 设置地址线。

      2. 拉低CEOE

      3. 延时后读取数据线。

      4. 释放OECE




    void sram_write(uint16_t addr, uint8_t data) {
      // 设置地址线(假设使用GPIO5-20作为地址)
      CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO5, (addr >> 0) & 0x1);
      // ... 设置所有地址位

      // 设置数据线为输出
      CyU3PGpioSetIoMode(data_gpio, CY_U3P_GPIO_IO_MODE_STD);

      // 控制信号
      CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 0);
      CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 0);

      // 写入数据(假设数据线为GPIO21-28)
      CyU3PGpioSetValue(CY_U3P_GPIO21, (data >> 0) & 0x1);
      // ... 设置所有数据位

      CyU3PThreadSleep(10); // 根据tWC调整延时
      CyU3PGpioSetValue(WE_PIN, 1);
      CyU3PGpioSetValue(CE_PIN, 1);
    }





4. PC端应用程序开发



  • 使用CyAPI

    • 通过USB控制FX3,发送读写命令。

    • 示例(C++):
      #include 
      CCyUSBDevice USBDevice;
      if (USBDevice.IsOpen()) {
      // 发送自定义控制请求,触发FX3的SRAM读写操作
      USBDevice.ControlEndPt->Target = TGT_DEVICE;
      USBDevice.ControlEndPt->ReqCode = 0xB0; // 自定义请求码
      USBDevice.ControlEndPt->Value = 0;
      USBDevice.ControlEndPt->Index = 0;
      USBDevice.ControlEndPt->Write(NULL, 0);
      }





5. 调试与验证



  • 逻辑分析仪:检查GPIO时序是否符合SRAM要求。

  • 分阶段测试

    1. 验证地址线是否正确输出。

    2. 测试单个字节的写入/读取。

    3. 逐步扩展为连续读写。





常见问题



  • GPIO速度不足:FX3 GPIO切换频率在MHz级别,对于低速SRAM足够,但需确保延时满足tWC/tRC

  • 电平不匹配:使用3.3V转5V芯片(如74LVC4245)。

  • GPIO数量不足:复用地址线(分高低字节)+ 锁存器。




通过以上步骤,结合SDK文档和示例代码,您可以逐步实现GPIO控制SRAM的功能。遇到具体问题时,可进一步分析时序或硬件连接。

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