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如何知道是否有任何数据写入S32G中的特定eFuse地址?

我一直在实现将任何数据写入 S32G 中的特定 eFuse 地址。
/* 写入影子OCOTP_GP6_127_96 */
1 .Ocotp_Ip_WriteShadowRegister(instance_Cfg0、OCOTP_GP6_127_96_SHADOW_REGISTER、DATA_TEST_0);
2. result = Ocotp_Ip_WriteEFuse(instance_Cfg0, OCOTP_GP6_127_96, DATA_TEST_0, false, true);
after 2. step, How to know whether any data is written or not to the specific eFuse address if  the value is RP (ReadProtect)+WP (WriteProtect)+OP (OverRideProtect)in S32G?

回帖(1)

张玉兰

2025-4-16 18:01:49

在S32G芯片中验证eFuse地址是否成功写入数据(尤其是当该地址受RP/WP/OP保护时),需要结合以下关键步骤:




一、关键验证步骤


1. 检查函数返回值



  • Ocotp_Ip_WriteEFuse 的返回值 result 必须为 STATUS_SUCCESS,否则表示写入失败。

  • 若返回错误码(如 OCOTP_ERR_WRITE_PROTECTED),需根据错误类型排查保护位状态。


2. 读取实际eFuse值


   uint32_t read_data = 0;
   Ocotp_Ip_ReadEFuse(instance_Cfg0, OCOTP_GP6_127_96, &read_data);


  • 直接读取eFuse物理地址的值,与预期数据 DATA_TEST_0 对比。

  • 注意:若RP(读保护)已锁,直接读取会返回全0或无效数据,需通过其他方法验证。


3. 检查保护位状态



  • WP(写保护):若已置位,后续写入操作会被硬件拒绝。

  • RP(读保护):置位后禁止直接读取eFuse内容。

  • OP(覆盖保护):控制是否允许覆盖现有值(某些eFuse支持有限次修改)。




二、处理保护位的限制


1. 绕过读保护(RP)



  • 若RP已激活,需通过以下方式间接验证写入:

  • 监控系统行为:eFuse值可能影响启动配置、安全策略等,观察相关功能是否按预期变化。

  • 使用调试接口:通过JTAG或NXP调试工具直接读取物理eFuse(需权限)。


2. 写入保护(WP)的容错



  • 在调用 Ocotp_Ip_WriteEFuse 前,先读取WP位状态:
     uint32_t wp_status;
    Ocotp_Ip_ReadEFuse(instance_Cfg0, OCOTP_WP_PROTECT_REG, &wp_status);

  • 若WP已锁,写入操作注定失败,需终止流程。




三、代码操作增强建议


// 1. 写入前检查保护位
uint32_t current_protect_status;
Ocotp_Ip_ReadEFuse(instance_Cfg0, OCOTP_PROTECT_REG_ADDR, ¤t_protect_status);

if ((current_protect_status & (RP_MASK | WP_MASK)) != 0) {
    // 存在读/写保护,无法继续操作
    return ERROR_PROTECTED;
}

// 2. 执行写入操作
result = Ocotp_Ip_WriteEFuse(...);
if (result != STATUS_SUCCESS) {
    // 处理错误:检查errno或调用Ocotp_Ip_GetError()
}

// 3. 等待eFuse烧录完成(重要!)
while (Ocotp_Ip_GetStatus(instance_Cfg0) == OCOTP_BUSY);

// 4. 尝试读取(仅在RP未锁时有效)
Ocotp_Ip_ReadEFuse(...);
if (read_data == DATA_TEST_0) {
    // 写入成功
}



四、深度验证技巧




  1. 熔丝锁定后的行为测试



    • 尝试重复写入同一地址,若返回 WRITE_PROTECTED 错误,说明首次写入已成功锁定熔丝。




  2. 使用NXP官方工具



    • 通过 S32 Configuration ToolsEB Tresos 连接芯片,直接查看eFuse映射表。




  3. 校验Shadow Register



    • 确认Shadow Register的值是否在复位后保留(某些情况下,Shadow Register会镜像已烧录的eFuse值)。






五、关键注意事项



  • 一次性编程特性:eFuse烧录后不可逆,务必在写入前确认数据正确性。

  • 时序要求:eFuse烧录需要时间(微秒级),操作后必须等待 OCOTP_BUSY 标志清除。

  • 安全权限:部分eFuse操作需要特权模式或安全上下文,确保代码运行在正确权限等级。


通过上述方法,可系统性地验证eFuse写入状态,即使存在保护位也能准确诊断操作结果。

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