rt1052 sdram从32mb更换到8mb不能使用问题

在将RT1052的SDRAM从32MB（IS42S16160）更换为8MB（IS42S16400）时，需重点关注以下配置和硬件调整：

1. 确认RT1052对IS42S16400的支持

RT1052的FlexSPI接口支持SDRAM，但需确保以下参数与芯片兼容：

• 数据总线宽度：IS42S16400为16位（与IS42S16160一致），无需修改总线位宽。


• 容量与地址映射：8MB需正确配置行/列地址，避免地址空间冲突。

2. 关键参数对比与配置调整

3. 修改RT1052的SDRAM控制器配置

在semc_config或相关初始化代码中调整以下寄存器：

// 示例配置（基于NXP SDK）

semc_config_t config;

SEMC_GetDefaultConfig(&config);



// 调整行/列地址

config.sdramControl.columnAddrBitNum = kSEMC_SDRAMCol8bit;  // 列地址改为8位

config.sdramControl.rowAddrBitNum = kSEMC_SDRAMRow11bit;     // 行地址改为11位



// 更新时序参数（需参考IS42S16400手册）

config.sdramTiming.tPrecharge2Act_Ns = 18;  // tRP

config.sdramTiming.tAct2ReadWrite_Ns = 18;  // tRCD

config.sdramTiming.tRefreshRecovery_Ns = 70; // tRFC

// ... 其他时序参数（tRAS, tWR等）

4. 检查硬件连接

• 地址线匹配：确保A0-A10连接至SDRAM行地址，A0-A7连接至列地址（高位地址可能悬空）。


• Bank地址线：确认BA0/BA1是否正确连接，8MB SDRAM可能使用更少的Bank地址线。


• 片选与时钟：检查片选信号（CS）、时钟（CLK）和电源稳定性。

5. 刷新率计算

根据SDRAM的刷新周期（如64ms内需完成4096次刷新）：
[
text{Refresh Rate} = frac{64text{ms}}{4096} approx 15.625mu s
]
在代码中设置SEMC_SDRAMCR0[REFRESH]为对应的计数值（基于SDK的时钟频率计算）。

6. 初始化序列验证

确保模式寄存器（MR）配置正确：

• CAS Latency：设置MR0[6:4]为CAS=2或3（需与控制器时序匹配）。


• Burst Length：通常设置为1（全页突发需谨慎）。

7. 调试工具

• 使用J-Link或Lauterbach读取SEMC寄存器，确认配置生效。


• 通过逻辑分析仪捕获SDRAM初始化波形，检查命令序列（Precharge、Refresh、MR写入）。

完成上述调整后，重新编译代码并测试。若仍无法工作，需逐步排除硬件焊接、供电或信号完整性问题。

// 示例配置（基于NXP SDK）

semc_config_t config;

SEMC_GetDefaultConfig(&config);



// 调整行/列地址

config.sdramControl.columnAddrBitNum = kSEMC_SDRAMCol8bit;  // 列地址改为8位

config.sdramControl.rowAddrBitNum = kSEMC_SDRAMRow11bit;     // 行地址改为11位



// 更新时序参数（需参考IS42S16400手册）

config.sdramTiming.tPrecharge2Act_Ns = 18;  // tRP

config.sdramTiming.tAct2ReadWrite_Ns = 18;  // tRCD

config.sdramTiming.tRefreshRecovery_Ns = 70; // tRFC

// ... 其他时序参数（tRAS, tWR等）

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