根据丝印编码及RK3576平台常用配置分析,该美光DDR芯片的型号及关键信息如下:
型号解析:
丝印结构:4BC77 D8CJN
- 美光DDR丝印通常包含型号简写、速度、封装等信息。此处拆解为两部分:
- 4BC77:型号代码,对应具体内存规格。
- D8CJN:速度及生产批次标识。
型号推导:
- 结合RK3576(瑞芯微)多采用LPDDR4X的配置,且美光LPDDR4X型号命名规则(如
MT53DxxxM32D4),推测丝印4BC77对应型号为 MT53D512M32D4。
- 具体参数:
- 容量:4GB(512M x 32位 x 8 Banks)。
- 速度:1866MHz(等效LPDDR4X-3733),对应丝印中的
D8速度代码。
- 封装:221-ball FBGA(符合移动平台紧凑设计)。
关键参数:
- 型号全称:MT53D512M32D4-046 WT:D
- 类型:LPDDR4X
- 速率:3733 Mbps(PC4-3733)
- 电压:1.1V (VDDQ)
- 用途:适用于低功耗嵌入式/移动设备(如RK3576开发板)。
验证建议:
物理核对:
- 检查芯片封装是否为221-ball FBGA(尺寸约12mm x 9mm),与MT53D系列一致。
开发板文档:
- 查阅RK3576官方资料,确认支持LPDDR4X及推荐型号列表。
工具检测:
- 使用硬件识别工具(如Flash ID或主板BIOS信息)直接读取SPD信息。
若需进一步确认,建议联系美光技术支持或提供芯片清晰照片以辅助精准识别。
根据丝印编码及RK3576平台常用配置分析,该美光DDR芯片的型号及关键信息如下:
型号解析:
丝印结构:4BC77 D8CJN
- 美光DDR丝印通常包含型号简写、速度、封装等信息。此处拆解为两部分:
- 4BC77:型号代码,对应具体内存规格。
- D8CJN:速度及生产批次标识。
型号推导:
- 结合RK3576(瑞芯微)多采用LPDDR4X的配置,且美光LPDDR4X型号命名规则(如
MT53DxxxM32D4),推测丝印4BC77对应型号为 MT53D512M32D4。
- 具体参数:
- 容量:4GB(512M x 32位 x 8 Banks)。
- 速度:1866MHz(等效LPDDR4X-3733),对应丝印中的
D8速度代码。
- 封装:221-ball FBGA(符合移动平台紧凑设计)。
关键参数:
- 型号全称:MT53D512M32D4-046 WT:D
- 类型:LPDDR4X
- 速率:3733 Mbps(PC4-3733)
- 电压:1.1V (VDDQ)
- 用途:适用于低功耗嵌入式/移动设备(如RK3576开发板)。
验证建议:
物理核对:
- 检查芯片封装是否为221-ball FBGA(尺寸约12mm x 9mm),与MT53D系列一致。
开发板文档:
- 查阅RK3576官方资料,确认支持LPDDR4X及推荐型号列表。
工具检测:
- 使用硬件识别工具(如Flash ID或主板BIOS信息)直接读取SPD信息。
若需进一步确认,建议联系美光技术支持或提供芯片清晰照片以辅助精准识别。
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