STM32CubeIDE在线调试时，如何配置擦除Flash的部分Page？

在STM32CubeIDE中，调试时擦除Flash的特定页可以通过配置调试选项或使用自定义脚本实现。以下是详细步骤：

方法一：通过STM32CubeIDE调试配置设置

1. 
   

   打开调试配置：

   
   
   
   
   • 右键项目 -> Debug As -> Debug Configurations。
   
   
   • 选择对应的调试配置（如 STM32 Cortex-M C/C++ Application）。
   
   
   
   


2. 
   

   配置Flash擦除选项：

   
   
   
   
   • 在 Startup 选项卡下的 Erase Options 中，默认选项可能是擦除整个Flash或保留内容。
   
   
   • 要擦除特定页，需通过自定义脚本或命令实现。
   
   
   
   

方法二：使用OpenOCD命令脚本

1. 
   

   创建擦除脚本：

   
   
   
   
   • 新建一个文本文件（如 erase_specific_page.cfg），写入以下内容（以STM32F4为例）：
     

     # 连接到目标芯片
     
     init
     
     # 解锁Flash
     
     stm32f1x unlock 0
     
     # 擦除指定页（示例：擦除第2页，起始地址0x08008000，页大小0x4000）
     
     flash erase_address 0x08008000 0x4000
     
     # 重新上锁
     
     stm32f1x lock 0
     
     shutdown

   
   
   • 替换起始地址和页大小（参考芯片手册的Flash页划分）。
   
   
   
   


2. 
   

   配置调试器调用脚本：

   
   
   
   
   • 在调试配置的 Startup -> Initialization Commands 中，添加：
     

     source [find path/to/your/erase_specific_page.cfg]

   
   
   
   

方法三：通过代码动态擦除

在程序中使用HAL库函数擦除指定页：

#include "stm32f4xx_hal.h"



void erase_flash_page(uint32_t page_address) {

    HAL_FLASH_Unlock();

    FLASH_EraseInitTypeDef erase;

    erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

    erase.Sector = FLASH_SECTOR_X; // 替换为实际页编号

    erase.NbSectors = 1;

    erase.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;



    uint32_t error;

    HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &error);

    HAL_FLASH_Lock();

}

在调试前调用此函数（需确保代码已正确烧录）。

方法四：使用STM32CubeProgrammer CLI

1. 
   

   编写擦除脚本（如 erase_page.bat）：

   
   

   STM32_Programmer_CLI -c port=SWD -e Sector=X -d

   
   
   
   
   • 替换X为实际页编号（通过 STM32_Programmer_CLI -h 查看支持选项）。
   
   
   
   


2. 
   

   在调试前手动运行脚本，然后启动调试。

   
   

注意事项

• 地址与页大小：参考芯片手册确认Flash页划分（如STM32F407VG的页大小为16KB）。


• 调试配置持久性：自定义脚本需在每次调试前重新配置。


• 数据安全：擦除操作不可逆，确保目标地址无误。

通过上述方法，可以在调试时灵活控制Flash擦除范围。推荐使用OpenOCD脚本或代码动态擦除实现部分页操作。

#include "stm32f4xx_hal.h"



void erase_flash_page(uint32_t page_address) {

    HAL_FLASH_Unlock();

    FLASH_EraseInitTypeDef erase;

    erase.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_SECTORS;

    erase.Sector = FLASH_SECTOR_X; // 替换为实际页编号

    erase.NbSectors = 1;

    erase.VoltageRange = FLASH_VOLTAGE_RANGE_3;



    uint32_t error;

    HAL_FLASHEx_Erase(&erase, &error);

    HAL_FLASH_Lock();

}

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