STM32H750内部flash读写的疑问求解

既然你都知道H750内部FLASH就一个整块扇区，想着对它在程序运行中进行内容改写


不太可行、或者说很不方便。因为写了一次再去写第二次意味着要对整个扇区先做擦除。


现有程序这么办嗯？或许可以考虑放在别的地方，即使可行，也不方便。


你可以考虑外扩存储芯片或者换个多扇区的H7系列芯片。 [/td]

[td]我看手册说有个2K的用户配置，这个是不是可以用来存储数据？
2 KB（64 个 Flash 字）的用户选项字节，用于进行用户配置：此区域仅在存储区 1 中可用。与用户 Flash 和系统 Flash 不同，该区域并未映射到任何存储器地址，并且仅可通过 Flash 寄存器接口进行访问

在STM32H750XBHx微控制器中，内置Flash的大小为128KB，并且Flash的擦除最小单元也是128KB。这意味着每次擦除操作都会清除整个128KB的Flash块。对于需要保存数据的情况，确实需要考虑如何有效地管理Flash的读写操作，以避免不必要的擦除和写入操作，从而减少风险。

以下是一些处理建议：

1. 使用外部存储器

• 外部Flash或EEPROM：如果数据量较大或需要频繁写入，建议使用外部Flash或EEPROM来存储数据。这样可以避免对内部Flash的频繁擦写，延长内部Flash的寿命。


• 外部SRAM：如果需要快速读写且数据不需要长期保存，可以使用外部SRAM。

2. 内部Flash数据管理

• 数据分区：将Flash分为程序区和数据区。程序区用于存储固件代码，数据区用于存储需要保存的数据。由于擦除单元为128KB，可以将整个128KB作为数据区，或者将程序区和数据区分别放在不同的128KB块中。


• 写操作优化：在写入数据时，尽量避免频繁擦除整个128KB块。可以使用以下策略：
  
  
  
  • 写前检查：在写入数据之前，先检查Flash中的内容是否已经为空（0xFF），如果是，则可以直接写入，无需擦除。
  
  
  • 增量写入：将数据分多次写入，每次写入前检查Flash是否为空，避免频繁擦除。
  
  


• 数据备份：在擦除和写入数据之前，先将Flash中的数据备份到RAM中，擦除后再将数据写回Flash。这样可以避免数据丢失。

3. 擦除和写入的风险

• 程序中断风险：在擦除和写入Flash时，如果程序被中断（如电源掉电、复位等），可能会导致数据损坏或程序崩溃。因此，建议在擦除和写入操作时，确保系统稳定性，并尽可能减少中断发生的可能性。


• 写保护：在写入数据时，可以考虑启用写保护功能，以防止意外写入或擦除。

4. 使用文件系统

• 小型文件系统：如果数据量较大且需要频繁更新，可以考虑使用小型文件系统（如LittleFS、SPIFFS等）来管理Flash中的数据。这些文件系统可以优化Flash的擦写操作，减少擦除次数。

5. 固件更新

• OTA更新：如果应用程序支持OTA（Over-The-Air）更新，可以将新固件写入另一个Flash块中，更新完成后再切换到新固件。这样可以避免在更新过程中擦除当前运行的固件。

总结

在STM32H750XBHx中，由于Flash的擦除单元较大，建议合理规划Flash的使用，尽量避免频繁擦除和写入操作。如果数据量较大或需要频繁更新，建议使用外部存储器或文件系统来管理数据。在写入数据时，确保系统的稳定性，并采取适当的备份和写保护措施，以降低风险。