PMOS做防倒灌和设想的不一样是哪里出了问题呢？

你遇到的问题可能与PMOS和NMOS的工作方式以及它们的阈值电压有关。我们来分析一下可能的原因。

1. PMOS和NMOS的基本工作原理

• PMOS：当栅极电压低于源极电压（( V{GS} < V{th} )）时，PMOS导通。通常，PMOS的阈值电压 ( V_{th} ) 为负值。


• NMOS：当栅极电压高于源极电压（( V{GS} > V{th} )）时，NMOS导通。NMOS的阈值电压 ( V_{th} ) 为正值。

2. 电路分析

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  上图中的接法：NMOS的栅极直接连接到PMOS的源极（12V）。如果NMOS的栅极电压为12V，且源极接地，那么 ( V_{GS} = 12V )，这远大于NMOS的阈值电压，因此NMOS会导通。NMOS导通后，PMOS的栅极被拉低到接近地电位，导致PMOS导通，从而使得负载端L有电压。

  
  


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  下图中的接法：NMOS的栅极被单独分离，没有直接连接到PMOS的源极。如果NMOS的栅极没有被驱动到高电平，NMOS会保持关闭状态，PMOS的栅极会保持高电平（12V），导致PMOS关闭，从而负载端L没有电压。

  
  

3. 可能的原因

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  NMOS的阈值电压：2N7002K的阈值电压 ( V_{th} ) 通常在1V到2.5V之间。如果NMOS的栅极电压为12V，远大于阈值电压，NMOS会导通。

  
  


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  PMOS的阈值电压：MDD2301的阈值电压 ( V_{th} ) 通常在-1V到-3V之间。如果PMOS的栅极被拉低到接近地电位，PMOS会导通。

  
  

4. 解决方案

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  分离NMOS的栅极：正如你在下图中做的那样，将NMOS的栅极单独分离，确保在没有驱动信号时NMOS保持关闭状态，从而防止PMOS导通。

  
  


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  使用合适的电压控制：确保NMOS的栅极电压在需要时能够被正确驱动，而在不需要时保持低电平。

  
  

5. 总结

你的问题主要在于NMOS的栅极直接连接到PMOS的源极，导致NMOS在没有控制信号时也被驱动到高电平，从而使得PMOS导通。通过将NMOS的栅极单独分离，可以避免这种情况，确保PMOS在不需要时保持关闭状态。

希望这些分析能帮助你理解问题的根源并找到解决方案。

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