首先,我们来分析一下SN74CBT162292这个芯片。它是一个双路FET多路复用器/解复用器,用于实现两个输入信号与一个输出信号之间的切换。根据您的需求,您需要实现两个单片机同时访问SRAM,并且需要通过开关进行总线切换。以下是针对您的问题的回答:
1. 目前2个单片机的总线信号接入SN74CBTLV16292的B1和B2端口,A端口接SRAM。这种模式可以么?
答:这种模式是可行的。您可以将两个单片机的总线信号分别接入B1和B2端口,然后将A端口连接到SRAM。通过控制芯片的使能端(如Y1和Y2),可以实现两个单片机之间的切换。
2. A、B1、B2这3组端口都是无方向性的吧?因为SRAM的数据总线是双向的?
答:是的,A、B1、B2这3组端口都是无方向性的。由于SRAM的数据总线是双向的,这些端口可以适应双向数据传输。
3. 手册上都是在不同的S电平下,写着A=B1和A=B2,看着好像是这个芯片的功能是一路A输入,切换控制输出到B1还是B2。而不是我现在想要的同时B1和B2输入,切换控制输出到A。我的理解有问题的么?
答:您的理解是正确的。SN74CBT162292芯片的主要功能是在不同的使能信号下,将A输入切换到B1或B2输出。但是,您的需求是实现两个单片机同时访问SRAM,这需要对芯片进行一些调整。您可以通过以下方式实现:
1. 将两个单片机的总线信号分别接入B1和B2端口,A端口连接到SRAM。
2. 使用两个使能信号(如Y1和Y2)分别控制B1和B2端口的使能状态。
3. 当Y1为高电平时,B1端口使能,此时SRAM的数据总线与单片机1的总线连接;当Y1为低电平时,B1端口禁用,此时SRAM的数据总线与单片机2的总线连接。
4. 同样地,当Y2为高电平时,B2端口使能,此时SRAM的数据总线与单片机2的总线连接;当Y2为低电平时,B2端口禁用,此时SRAM的数据总线与单片机1的总线连接。
通过这种方式,您可以实现两个单片机同时访问SRAM的需求。需要注意的是,为了避免数据冲突,您需要确保在任何时刻只有一个单片机的总线与SRAM的数据总线连接。这可以通过软件控制或者外部硬件电路实现。
首先,我们来分析一下SN74CBT162292这个芯片。它是一个双路FET多路复用器/解复用器,用于实现两个输入信号与一个输出信号之间的切换。根据您的需求,您需要实现两个单片机同时访问SRAM,并且需要通过开关进行总线切换。以下是针对您的问题的回答:
1. 目前2个单片机的总线信号接入SN74CBTLV16292的B1和B2端口,A端口接SRAM。这种模式可以么?
答:这种模式是可行的。您可以将两个单片机的总线信号分别接入B1和B2端口,然后将A端口连接到SRAM。通过控制芯片的使能端(如Y1和Y2),可以实现两个单片机之间的切换。
2. A、B1、B2这3组端口都是无方向性的吧?因为SRAM的数据总线是双向的?
答:是的,A、B1、B2这3组端口都是无方向性的。由于SRAM的数据总线是双向的,这些端口可以适应双向数据传输。
3. 手册上都是在不同的S电平下,写着A=B1和A=B2,看着好像是这个芯片的功能是一路A输入,切换控制输出到B1还是B2。而不是我现在想要的同时B1和B2输入,切换控制输出到A。我的理解有问题的么?
答:您的理解是正确的。SN74CBT162292芯片的主要功能是在不同的使能信号下,将A输入切换到B1或B2输出。但是,您的需求是实现两个单片机同时访问SRAM,这需要对芯片进行一些调整。您可以通过以下方式实现:
1. 将两个单片机的总线信号分别接入B1和B2端口,A端口连接到SRAM。
2. 使用两个使能信号(如Y1和Y2)分别控制B1和B2端口的使能状态。
3. 当Y1为高电平时,B1端口使能,此时SRAM的数据总线与单片机1的总线连接;当Y1为低电平时,B1端口禁用,此时SRAM的数据总线与单片机2的总线连接。
4. 同样地,当Y2为高电平时,B2端口使能,此时SRAM的数据总线与单片机2的总线连接;当Y2为低电平时,B2端口禁用,此时SRAM的数据总线与单片机1的总线连接。
通过这种方式,您可以实现两个单片机同时访问SRAM的需求。需要注意的是,为了避免数据冲突,您需要确保在任何时刻只有一个单片机的总线与SRAM的数据总线连接。这可以通过软件控制或者外部硬件电路实现。
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