TI论坛
直播中

好名字

10年用户 911经验值
擅长:可编程逻辑
私信 关注
[问答]

用ddc112采集数据遇到的几个问题求解


  • 我打算用ddc112采集数据,目前遇到了如下几个问题:
    (1)外部积分电容。因为要采集的电流最大能大过2uA,所以打算采用0.01uf的电容。虽然datesheet写着最大电荷量1000pc限制,但是ti官方(如何在112上使用外部电容)或者第三方文档都说明到0.01uF这个外部电容也基本可以正常工作。试问有没有其他使用过这么大电容的经验,这么大真的可以用么?还有电容使用误差5%的0805的COG电容带来的误差可以接受么?还是一定要用高精度CB14电容?
    (2)时钟匹配。我用的AVR单片机主控,ddc112和avr分别用各自独立的10MHz晶振,但技术文档第九页写着clk上升沿信号和conv信号要在10ns内同步,我用这种两个晶振的做法是做不到的,预计误差在几十ns,这样会带来的后果是什么?看到前面有用msp430这种与avr同档次的单片机做主控的,他是怎么做到clk上升沿和conv匹配的呢。还有关于DXMIT信号与数据输出30ns的时间限制,这些都对单片机的反应速度提出了极高的要求。是不是只有采用FPGA或cpld才能解决上述问题?
    渴望得到您的答复,谢谢

回帖(2)

李姗蔓

2024-12-3 10:55:44
   cog 好象达不到 0.01uF.不推荐超过数据手册范围的应用设计
举报

卢表镜

2024-12-4 09:39:42
针对您在使用ddc112采集数据时遇到的问题,我将逐一为您解答:

1. 外部积分电容:
   - 根据您提供的信息,您打算使用0.01uF的电容来采集最大2uA的电流。虽然datasheet上提到最大电荷量为1000pc限制,但TI官方和第三方文档都表示0.01uF的外部电容可以正常工作。在这种情况下,您可以尝试使用0.01uF的电容,但需要密切关注实际应用中的表现。
   - 关于电容误差,5%的误差对于大多数应用来说是可以接受的。然而,如果您的应用对精度要求较高,您可以考虑使用高精度CB14电容。在实际应用中,您可以先使用5%误差的电容进行测试,如果发现误差对结果影响较大,再考虑更换高精度电容。

2. 时钟匹配:
   - 您提到使用的AVR单片机和ddc112分别使用独立的10MHz晶振。在这种情况下,时钟匹配是一个需要关注的问题。为了确保时钟匹配,您可以尝试以下方法:
     a. 使用温度补偿晶振(TCXO)或电压控制晶振(VCXO)来减小时钟偏差。
     b. 在AVR单片机和ddc112之间增加一个时钟同步信号,以确保两者的时钟同步。
     c. 在软件层面,您可以在AVR单片机中实现一个时钟校准算法,以补偿时钟偏差。

希望以上解答能够帮助您解决在使用ddc112采集数据时遇到的问题。如有其他疑问,请随时提问。
举报

更多回帖

发帖
×
20
完善资料,
赚取积分