AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET

铨力授权一级代理商 AP2222D 20V N沟道增强型MOSFET
描述：

AP2222D采用先进的沟槽技术

可提供出色的RDS（ON）

低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作

该器件适用于用作电池保护器或其他开关应用

特点：

VDS=20V

ID=50A

RDS(ON) < 10.5mΩ @ VGS=4.5V （Type：8.5mΩ）

应用：

电池保护

负载开关

不间断电源