感谢 发烧友学院以及瑞萨 为我和孩子提供此产品RA-Eco-RA0E1-32PIN-V1.0[开发板] 。收到了顺风快递
仅包含开发板
支持J-link更新程序,**** 开发板 简介:更低成本,也提供超低功耗性能。
RA0产品在工作模式下电流消耗仅为84.3μA/MHz,睡眠模式下仅为0.82mA。此外,瑞萨还在这新款MCU中提供了软件待机模式,可将功耗进一步降低99%,达到0.2μA的极小值。配合快速唤醒高速片上振荡器(HOCO),这款超低功耗MCU为电池供电的消费电子设备、小家电、工业系统控制和楼宇自动化应用带来理想解决方案。
产品QFN封装32引脚
全新MCU的高精度(±1.0%)片上振荡器(HOCO)提高了波特率精度,设计人员可借此省去独立振荡器。另外,与其它HOCO不同的是,其在-40°C至105°C的环境中仍能保持这种精度,如此宽泛的温度范围让客户即使在回流焊工艺后也无需进行昂贵且费时的“微调”。不仅具备关键的诊断安全功能和IEC60730自检库,还针对数据安全提供了丰富的保障功能,如真随机数发生器(TRNG)和AES库,适用于包括加密在内的物联网应用。以R7FA0E1073CFJ为主控芯片,拥有丰富的外设,集成度高功能非常强大,具有优越的性能和低功耗。 CortexⓇ-M23 超低功耗通用微控制器RA0E1 产品组基于 Arm® Cortex®-M23 核心(现今 Arm® Cortex-M 系列中功耗最低的 CPU)。 这款产品采用优化的制程和瑞萨的低功耗工艺技术,是业界一流水平的超低功耗微控制器。 v 产品组能够支持 1.6V 至 5.5V 宽电压工作,且运行模式电流和待机模式电流更低。
开发板的原理图:
特性
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内核 :32MHz Arm Cortex-M23
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存储 *:高达64KB的集成代码闪存和12KB
SRAM*
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模拟外设 :12位ADC、温度传感器、内部基准电压
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通信外设 :3个UART、1个异步UART、3个简化SPI、1个IIC、3个简化IIC
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功能安全性 :SRAM奇偶校验、无效内存访问检测、频率检测、A/D测试、不可变存储、CRC计算器、寄存器写保护
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数据安全性 :唯一ID、TRNG、闪存读取保护
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封装 :16、24和32引脚QFN,20引脚LSSOP,32引脚LQFP
支持 Arm 生态系统和瑞萨电子原创开发工具
看下资源,准备操作系统(win10),开发软件(mdk5),安装下载工具(RASC)
下传#### 特别说明: 需要有调试器 E2 Lite、e2 cube、Jlink V9以上(可用于M23内核),否则可能无法完成试用。 。
准备操作系统(win10)
开发板软件(mdk5)
Renesas 软件在mdk5中导入芯片Pack下载Renesas.RA_DFP.5.4.0.pack。
下载setup_fsp_v5_4_0_rasc_v2024-04.exe安装RASC。
打开RASC,先选好安装目录,以及工程名称选择好芯片,
以及编译工具一路next就可以创建好工程最后在Summary中,可以看到工程生成选项,点击以后就可以mdk工程打开MDK工程
创建了就完成了MDK工程的创建
打开MDK工程在
在hal_entry.c中 /* TODO: add your own code here */
加入自己代码。
while(1){
R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_01_PIN_03, 0);
R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_01_PIN_12, 0);
R_BSP_SoftwareDelay(10000, BSP_DELAY_UNITS_MILLISECONDS);
R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_01_PIN_03, 1);
R_IOPORT_PinWrite(&g_ioport_ctrl, BSP_IO_PORT_01_PIN_12, 1);
R_BSP_SoftwareDelay(10000, BSP_DELAY_UNITS_MILLISECONDS);
}
Code (inc. data) RO Data RW Data ZI Data Debug
1692 204 224 0 1652 127987 Grand Totals
1692 204 224 0 1652 127987 ELF Image Totals
1692 204 224 0 0 0 ROM Totals
* 烧录达到预期状态。开箱+环境搭建 结束![]
*
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