在正确去耦至接地和V[M] 时，DRV8811上的VGD及VCP电压应该是多少才能正常运行？

DRV8811是一款由Texas Instruments生产的电机驱动器，用于控制一个H桥电机驱动器。在正确去耦至接地和V[M]时，DRV8811上的VGD及VCP电压应该满足以下条件才能正常运行：

1. VGD（Gate Drive Voltage）：VGD是驱动器内部用于驱动MOSFET的电压。在DRV8811中，VGD的推荐值通常在10V至18V之间。确保VGD在推荐范围内可以确保MOSFET正常工作。

2. VCP（Charge Pump Voltage）：VCP是DRV8811内部电荷泵产生的电压，用于生成开启高侧FET所需的电压。在DRV8811中，VCP的推荐值通常在10V至18V之间。确保VCP在推荐范围内可以确保高侧FET正常工作。

VGD的作用是为低侧和高侧MOSFET提供足够的驱动电压，以确保它们能够快速开关。在电机驱动器中，VGD对于实现高效率和低电磁干扰（EMI）至关重要。

为了确保DRV8811正常运行，请遵循以下步骤：

1. 确保VGD和VCP的电压在推荐范围内。
2. 为VGD和VCP提供适当的去耦电容，以减少噪声和电压波动。
3. 确保电源电压（V[M]）在DRV8811的输入电压范围内。
4. 根据电机规格和应用需求，正确设置DRV8811的控制参数。

通过遵循这些步骤，您可以确保DRV8811在正确去耦至接地和V[M]时能够正常运行。