实现快速、平稳、高效的电源管理及电能转换。
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和电流通路布局结构，实现了功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通损耗。
同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定；
应对于高频率的开关应用，我们为设计师们提供低开关损耗的系列产品，其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。
MOSFET 在适配器中的典型应用
重点推荐物料
| 应用 | Item | Package | Type | VDSS(V) | ID(A) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 同步整流 | AD100N60D5 | PDFN5060-8 | N | 100 | 60 | 8.5 |
| 同步整流 | AD100N70T2 | TO220 | N | 100 | 70 | 9.5 |
| 同步整流 | AD100N75D5 | PDFN5060-8 | N | 100 | 75 | 6.4 |
| 同步整流 | AD100N80T2 | TO220 | N | 100 | 80 | 7.6 |
| 同步整流 | AD100N70D5 | PDFN5060-8 | N | 100 | 70 | 4.6 |
| 同步整流 | AD100N145T2 | TO220 | N | 100 | 145 | 3.8 |
| 同步整流 | AD150N80T2 | TO220FL | N | 150 | 80 | 10.5 |
| 同步整流 | AD150N160T2 | TO220FL | N | 150 | 160 | 5.3 |
| DC/DC | AD40N40D3 | PDFN3333-8 | N | 40 | 40 | 5.5 |
| DC/DC | AD40N70D5 | PDFN5060-8 | N | 40 | 70 | 5.5 |
| DC/DC | AD30N80D5 | PDFN5060-8 | N | 30 | 80 | 1.4 |
| VBUS | AD30K35D3 | PDFN3333-8 | N+N | 30 | 35 | 9.4 |
| VBUS | AD30P47D3 | PDFN3333-8 | P | 30 | 47 | 7.1 |
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