请问如何测量N沟道MOSFET好坏？

要测量N沟道MOSFET的好坏，我们可以按照以下步骤进行：

1. 准备工具：首先，我们需要一个数字万用表（DMM）来测量电压、电流和电阻。

2. 断开电源：在测量之前，请确保断开电路的电源，以防止触电或损坏设备。

3. 确定MOSFET的引脚：N沟道MOSFET通常有三个引脚：源极（S）、栅极（G）和漏极（D）。请查阅数据手册或电路图以确定每个引脚的位置。

4. 测量源极和漏极之间的电阻：将万用表设置为电阻模式，将红色探针连接到源极（S），黑色探针连接到漏极（D）。如果MOSFET是好的，那么在没有施加栅极电压的情况下，源极和漏极之间的电阻应该非常高（通常在几百千欧姆以上）。如果电阻很低，那么MOSFET可能已经损坏。

5. 测量栅极和源极之间的电阻：将万用表设置为电阻模式，将红色探针连接到栅极（G），黑色探针连接到源极（S）。在没有施加栅极电压的情况下，栅极和源极之间的电阻应该非常高（通常在几百千欧姆以上）。如果电阻很低，那么MOSFET可能已经损坏。

6. 测量漏极和源极之间的电流：将万用表设置为电流模式，将红色探针连接到漏极（D），黑色探针连接到源极（S）。然后，将栅极（G）连接到一个适当的电压源（通常为5V或10V），以使MOSFET导通。如果MOSFET是好的，那么在导通状态下，漏极和源极之间的电流应该在正常范围内。如果电流过高或过低，那么MOSFET可能已经损坏。

7. 检查并联芯片：由于多个芯片并联在一起，我们需要检查每个芯片的MOSFET是否正常工作。可以使用上述方法分别测量每个芯片的MOSFET。

8. 重新连接电源：在完成测量后，重新连接电路的电源，并检查电路是否正常工作。

通过以上步骤，我们可以在不拆下MOSFET的情况下，测量其好坏。如果发现MOSFET损坏，可能需要更换整个芯片或修复电路。