【求助】有没有国产的给DAC芯片进行环路供电的FET推荐呢？

为了找到适合SD24A421 DAC芯片的国产FET，我们可以按照以下步骤进行：

1. 首先，我们需要了解SD24A421 DAC芯片的电源要求。通常，这些信息可以在芯片的数据手册中找到。我们需要关注电源电压范围、最大电流等参数。

2. 其次，我们需要找到国产FET供应商。可以通过搜索引擎、电子元件市场或者询问同行来获取这些信息。一些知名的国产FET供应商有：华为、中兴、紫光国微等。

3. 接下来，我们需要比较不同国产FET的性能参数，以找到与原FET相匹配的替代品。主要关注以下参数：
   - 电压范围：确保国产FET的电压范围与DAC芯片的电源要求相匹配。
   - 最大电流：国产FET的最大电流应满足DAC芯片的工作电流要求。
   - 导通电阻：导通电阻越低，功耗越小，效率越高。
   - 开关速度：开关速度越快，对DAC芯片的性能影响越小。

4. 在找到合适的国产FET后，可以联系供应商获取样品进行测试。测试过程中，需要关注以下几点：
   - 环路稳定性：确保国产FET在环路中能够稳定工作。
   - 性能指标：比较国产FET与原FET的性能指标，如噪声、失真等。
   - 可靠性：测试国产FET在长时间工作下的可靠性。

5. 如果测试结果满意，可以将国产FET作为替代品使用。

总之，找到适合SD24A421 DAC芯片的国产FET需要进行详细的参数比较和测试。希望以上步骤对您有所帮助。

目前，我用是的英飞凌的BSS169，但是价格有点贵，货期也比较长，不知道有没有其他替代料号？

选择适配SD24A421 ADC芯片的Vcc稳压供电的MOSFET时，必须考虑电路的供电需求、MOSFET的特性以及ADC芯片对电源的稳定性要求。以下是选择MOSFET的一些关键因素，以及推荐的选择流程：
1. 确定ADC的电源要求
首先，查阅SD24A421 ADC芯片的数据手册，确定其工作电压范围和最大工作电流。ADC芯片的供电通常对噪声和稳定性要求较高，因此稳压电路需要选用低噪声、低压降的元件。
        • Vcc 电压：通常ADC工作在3.3V或5V的电压范围内。
        • 电流需求：查找ADC的最大电流需求，假设为几十毫安，选择合适的MOSFET能承受此电流范围。
2. 选择合适的MOSFET类型
为了提供稳压电压，MOSFET可以作为线性稳压器的开关元件，或作为DC-DC转换器的一部分，常见的MOSFET特性考虑包括：
        • N沟道或P沟道MOSFET：
                ○ 如果你设计的是开关稳压器，常用N沟道MOSFET，因为它的导通电阻通常较低，效率较高。
                ○ 在某些情况下，若电源需要P沟道（如高端负载开关），则选择P沟道MOSFET。
        • 导通电阻 (Rds(on))： MOSFET的导通电阻越低，功率损耗越小。低导通电阻是设计高效稳压器的关键。
        • 栅极门限电压 (Vgs(th))： 确保MOSFET的栅极驱动电压适合电源设计。例如，如果你使用3.3V或5V的栅极驱动电压，确保MOSFET的栅极门限电压低于这个值。
        • 耐压 (Vds)： MOSFET的漏源耐压要大于稳压器的输入电压。例如，如果你的输入电压为12V，MOSFET的耐压应至少为15-20V，以确保足够的裕量。
        • 最大漏极电流 (Id)： MOSFET的最大漏极电流要足够支持ADC电路的需求，通常选择的MOSFET应能承受所需的最大电流。
3. 低噪声和高效率要求
由于ADC对电源噪声非常敏感，MOSFET在开关稳压器中的快速切换可能会产生开关噪声。因此，应选择低噪声、高效的MOSFET。并且考虑：
        • 低Qg (栅极电荷)：MOSFET的总栅极电荷越低，开关速度越快，效率越高，尤其是在高频率开关稳压器中很关键。
良好的热管理：MOSFET在工作时会产生热量，特别是在高电流下，因此选择具有较低导通电阻的MOSFET有助于减少功耗和发热。

最后介绍一个查询元器件数据手册和选型的网站给大家，方便大家选型
https://www.semiee.com/

以前用过ARK方舟微的一款国产化替代BSS169的MOS器件，型号是DMZ1520E，产品性能很好，交期也比较快。