想请教一个在应用时的问题，我们正在使用INA228产品做一些简易电池检测的应用，由于INA228自身没有防反接设计，我们尝试通过NMOS控制地的通断来实现防反接。但在实际设计中，我们注意到，仅仅将地进行分割是不够的，I2C及VS上也必须通过二极管或体二极管进行隔离。我们理解也可以测到MCU内部的Zener管路径，但不太明白INA228中为什么会有I2C或者VS正向对地的路径。
我们使用万用表二极管档位直接对INA228的I2C和GND之间进行测试，INA228_GND->I2C有一个二极管的压降，这是正常的。反向并没有测到任何压降，但是在连接MCU后，两个地之间便存在1.2V的压降（MCU_GND->INA228_GND）。我们断开了其他所有路径，这个现象仍然存在，结合二极管隔离后的作用，我们推断这个路径来自INA228，但不太理解这其中的原因。
希望能得到你们的解答，感谢！
