ESP32S3的EEPROM是由FLASH虚拟的，直接在arduinoIDE中擦写EEPROM时是否在底层自动进行了磨损平衡？

ESP32S3的EEPROM确实是由内部FLASH模拟实现的。在Arduino IDE中使用EEPROM库进行数据存储时，底层确实会进行一定程度的磨损平衡。但是，这种磨损平衡可能不足以应对高频率的写入操作，尤其是在每天需要保存2000次数据的情况下。

磨损平衡的目的是确保FLASH的每个块在使用寿命内被均匀地使用，以避免某些块过早地达到其写入寿命限制。然而，EEPROM库的磨损平衡策略可能不如专业的磨损平衡算法那么高效。

在这种情况下，您可以考虑以下几个方案：

1. 使用更专业的磨损平衡库：有一些专门为ESP32设计的磨损平衡库，例如"esp32-arduino-eeprom"。这些库可能提供更高效的磨损平衡策略。

2. 减少写入次数：如果可能的话，尝试减少写入次数。例如，您可以将多个计数事件累积在一起，然后在达到一定数量后一次性写入EEPROM。

3. 使用外部EEPROM：如果您的应用对数据持久性要求非常高，您可以考虑使用外部EEPROM芯片。外部EEPROM通常具有更高的写入寿命和更好的磨损平衡性能。

4. 优化数据存储结构：优化您的数据存储结构，以减少每次写入所需的数据量。例如，您可以使用更紧凑的数据格式或仅存储增量数据。

5. 考虑使用其他存储方案：除了EEPROM之外，您还可以考虑使用其他存储方案，如SPIFFS、LittleFS等文件系统，或者使用外部存储设备如SD卡等。

总之，虽然Arduino IDE中的EEPROM库在底层进行了一定程度的磨损平衡，但在高频率写入的情况下，可能需要采取其他措施以确保数据的持久性和FLASH的使用寿命。