STM32CubeMX生成的makefile如何更改程序烧录地址？

要更改STM32CubeMX生成的makefile中的程序烧录地址，您需要按照以下步骤操作：

1. 打开STM32CubeMX生成的makefile文件。通常，这个文件位于项目的根目录下，名为"Makefile"。

2. 在makefile文件中，找到以下行：

```
# Linker script
LD_SCRIPT = STM32F103C8Tx_FLASH.ld
```

3. 打开STM32F103C8Tx_FLASH.ld链接脚本文件。这个文件通常位于项目的"Src"文件夹中。

4. 在STM32F103C8Tx_FLASH.ld文件中，找到以下行：

```
_estack = ORIGIN(STACK);
```

5. 在上述行的下方，添加一个新的内存定义，如下所示：

```
MEMORY
{
  /* ... 其他内存定义 ... */

  /* 添加新的内存定义 */
  custom_flash (rx) : ORIGIN = 0x8008000, LENGTH = 0x00000000
}
```

这里，我们将新的烧录地址设置为0x8008000，并将其命名为"custom_flash"。您可以根据需要调整LENGTH值。

6. 在STM32F103C8Tx_FLASH.ld文件中，找到以下行：

```
/* ... 其他内存定义 ... */
```

7. 在上述行的下方，添加一个新的内存定义，如下所示：

```
_estack = ORIGIN(STACK);
```

8. 在STM32F103C8Tx_FLASH.ld文件中，找到以下行：

```
/* ... 其他内存定义 ... */
```

9. 在上述行的下方，添加一个新的内存定义，如下所示：

```
/* 添加新的内存定义 */
REGION_ALIAS("custom_flash", custom_flash);
```

10. 在STM32F103C8Tx_FLASH.ld文件中，找到以下行：

```
/* ... 其他内存定义 ... */
```

11. 在上述行的下方，添加一个新的内存定义，如下所示：

```
/* 添加新的内存定义 */
REGION_TEXT(custom_flash, custom_flash, 0x8008000);
```

12. 保存STM32F103C8Tx_FLASH.ld文件的更改。

13. 返回到makefile文件，找到以下行：

```
# Linker script
LD_SCRIPT = STM32F103C8Tx_FLASH.ld
```

14. 确保LD_SCRIPT变量的值已更新为新的链接脚本文件名（如果已更改）。

15. 保存makefile文件的更改。

现在，您已经成功更改了程序烧录地址。在烧录程序时，它将烧录到0x8008000地址。请确保您的程序已正确配置以从该地址启动。