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TC375向DFlash内存区域写入数据时遇到的疑问求解

在向 DFlash 内存区域写入数据时,我遇到了一个问题。 我使用的是 TC375 闪存编程示例代码,但做了一些改动。 以下是我遇到问题的情景。
1首次向地址 0xAF000240 写入数据 (0xAF000400) 成功。

2. 从 0xAF000240 读取数据成功。
3.如果我将从 0xAF000240 读取的数据写入同一地址,并用其他值更新数据,内存(0xAF000240)将被零(0x00000000)填满。
请问谁能提出解决方案。

回帖(1)

张昂笙

2024-5-28 16:03:59
在解决这个问题之前,我们需要了解一些关于 TC375 闪存编程的基本知识。TC375 是一种闪存芯片,通常用于嵌入式系统中。DFlash 是数据闪存,用于存储非易失性数据。在这种情况下,您遇到了一个问题,即在尝试更新 DFlash 内存区域时,数据被清零。

以下是一些建议和解决方案,以帮助您解决这个问题:

1. 检查您的编程代码:首先,确保您的编程代码是正确的。检查您的代码,确保您正确地设置了地址、数据和编程命令。此外,确保您遵循了 TC375 的编程时序要求。

2. 检查编程模式:确保您已经将 TC375 设置为编程模式。在编程模式下,闪存芯片允许对数据进行写入操作。如果您没有正确设置编程模式,可能会导致写入失败。

3. 检查页擦除:在写入新数据之前,确保已经擦除了目标页。TC375 闪存通常需要在写入新数据之前擦除整个页。如果页没有被正确擦除,新写入的数据可能会被覆盖或损坏。

4. 检查写入操作:在写入新数据之前,确保您已经正确地执行了写入操作。这可能包括设置正确的编程命令、地址和数据。此外,确保您遵循了 TC375 的编程时序要求。

5. 检查数据保护:TC375 闪存可能具有数据保护功能,以防止意外写入或擦除操作。确保您已经正确地禁用了数据保护功能,以便可以正常写入数据。

6. 检查电源和时钟:确保您的系统为 TC375 提供了稳定的电源和时钟信号。不稳定的电源或时钟信号可能会导致编程失败或数据损坏。

7. 检查硬件连接:检查您的硬件连接,确保 TC375 与其他组件之间的连接正确无误。错误的连接可能会导致编程失败或数据损坏。

8. 使用 TC375 的官方示例代码:如果您仍然遇到问题,可以尝试使用 TC375 的官方示例代码。这可以帮助您确保您的编程代码和设置是正确的。

9. 联系技术支持:如果以上建议都无法解决问题,您可以考虑联系 TC375 的制造商或技术支持团队,以获取更多帮助和建议。

总之,解决这个问题需要仔细检查您的编程代码、设置和硬件连接。确保您遵循了 TC375 的编程时序要求,并正确地执行了编程操作。如果问题仍然存在,您可以考虑使用官方示例代码或联系技术支持。
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