FSMC读写NAND后，如何能够拉高NCE片选信号，以求降低功耗？

在FSMC（Flexible Static Memory Controller）读写NAND闪存后，为了降低功耗，确实需要拉高NCE（NAND Chip Enable）片选信号。以下是一些建议，帮助您实现这一目标：

1. 确保在FSMC读写操作完成后，及时释放NCE信号。这可以通过在读写操作完成后，将NCE引脚设置为高电平来实现。

2. 如果您使用的NAND闪存支持多个Bank，可以利用这一点来降低功耗。在FSMC读写操作完成后，切换到另一个Bank，这样当前Bank的NCE信号就可以被拉高，从而降低功耗。

3. 对于同时释放NC（NAND Control）的问题，您可以尝试以下方法：
   a. 在FSMC读写操作完成后，将NC引脚设置为高电平，以释放控制信号。
   b. 如果您的NAND闪存支持多个Bank，可以在切换Bank的同时，将NC引脚设置为高电平，以实现同时释放NC的目的。

4. 如果上述方法仍然无法实现同时释放NC，您可以考虑使用硬件电路来实现这一功能。例如，使用一个逻辑门电路，当FSMC读写操作完成后，自动将NC引脚设置为高电平。

5. 在实际应用中，您可能需要根据具体的NAND闪存型号和FSMC控制器的特性，进行一些调整和优化。建议仔细阅读NAND闪存和FSMC控制器的数据手册，了解它们的工作原理和特性，以便找到最佳的解决方案。