STM32F030 FLASH存储，第二次或者多次写入或者擦除的时候读取不到数据是为什么？

这种情况可能是由于以下几个原因导致的：

1. 擦除操作未完成：在进行多次擦除操作时，需要确保每次擦除操作都已经完成，否则可能会导致数据读取不到。可以通过读取相关标志位（例如FLASH_SR中的BSY位）来判断擦除操作是否完成。

2. 写入操作未完成：在进行多次写入操作时，需要确保每次写入操作都已经完成，否则可能会导致数据读取不到。可以通过读取相关标志位（例如FLASH_SR中的BSY位）来判断写入操作是否完成。

3. 地址对齐问题：在写入或擦除FLASH时，需要确保操作的地址是按照正确的块大小对齐的。例如，如果你在写入字节时，地址应为偶数地址；如果是写入半字，则地址应为4的倍数；如果是写入字，则地址应为8的倍数。

4. 数据保护机制：在STM32F030系列芯片中，有可能存在写保护机制，该机制可以防止对某些区域的FLASH进行写入操作。你可以检查FLASH_OPTSR寄存器中的WRP位，确认写保护是否被启用并且相关区域是否被保护。

5. 程序逻辑错误：检查一下你的程序逻辑是否有误，确保在读取数据之前已经正确地进行了擦除和写入操作。

以上是一些可能导致你遇到问题的原因，你可以仔细检查其中的每个方面，找出问题所在。