请问STM32G030F6P6-Flash的状态寄存器CFGBSY位为什么会置位？

如题 ,仿真测试来看，如果只使用flash的最后一页存储用户自己的数据，可以随时擦写，flash状态寄存器的cfgbsy位不会置位；但是如果初始化了tiM1_CH4的PWM后flash状态寄存器的cfgbsy位置位，后面就不能再擦写flash了，请问这个可能是什么原因呢？