1、内部传感器本质还是使用ADC来测量的。
2、F0的ADC也是12位的，G0的ADC也是12位的。如果配置可能不同，数值有可能不同？
3、公式似乎没有问题。
4、这两个系列的MCU的TS_CAL1获取条件有点不一样：
F0: TS ADC raw data acquired at a temperature of 30 °C (± 5 °C), VDDA= 3.3 V (± 10 mV)
G0: TS ADC raw data acquired at a temperature of 30 °C (± 5 °C), VDDA = VREF+ = 3.0 V (± 10 mV)而且两个地址也不一样。
1、内部传感器本质还是使用ADC来测量的。
2、F0的ADC也是12位的，G0的ADC也是12位的。如果配置可能不同，数值有可能不同？
3、公式似乎没有问题。
4、这两个系列的MCU的TS_CAL1获取条件有点不一样：
F0: TS ADC raw data acquired at a temperature of 30 °C (± 5 °C), VDDA= 3.3 V (± 10 mV)
G0: TS ADC raw data acquired at a temperature of 30 °C (± 5 °C), VDDA = VREF+ = 3.0 V (± 10 mV)而且两个地址也不一样。
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