UMS的CHA3688aQDG
是款三级自偏置宽带单片低噪声放大器单片电路。
CHA3688aQDG选用 pHEMT 工艺技术、0.25μm 栅极尺寸、横穿基板的通孔、空气桥和电子束栅极光刻工艺生产制造。
CHA3688aQDG选用满足 RoHS 标准化的 SMD 封装。
主要特征
宽带性能：12.5-30GHz
2.1dB相位噪声
26dB增益值
26dBm输出IP3
直流电偏置电压：Vd=4V@ld=85/115mA
24l-QFN4x4
MSL1
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