CREE的CMPA1D1E025F
是款碳化硅单晶上根据氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)；选用 0.25 μm 栅极尺寸制作工艺。与硅相比较，GaN-on-SiC具有更加优异的性能；砷化镓或硅基氮化镓；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。CMPA1D1E025 选用 10 导线；25 mm x 9.9 mm；金属/陶瓷法兰盘封装能够实现最理想的电气设备和热稳定性。 特征
24 dB 小信号增益值
40 W 典型脉冲信号 PSAT
额定电压高至 40 V
OQPSK 下 20 W 线性功率
A/B类高增益；高效率 50 Ω MMIC Ku 频率段高功率放大器
应用领域
军工用和商用 Ku 波段雷达
产品规格
描述：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波段 GaN MMIC 功率放大器
最低频率(MHz)：13500
最高频率(MHz)：14500
最高值输出功率(W)：25
增益值(dB)：26.0
工作效率（％）：16
额定电压(V)：40
类型：封装的MMIC
封装类别：法兰盘
技术：GaN-on-SiC
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