一般对于某一行flash特殊使用简单的处理办法有2种：（建议使用第一种）
1. 在SWD更新时，这个部分flash将被更新，在其他更新方式（即只更新Application）的时候，不更新flash这个部分。
这个实现只需要将内部更新的flash access的范围进行设定即可，使用API void flash_set_access_limits (uint16_t start_row, uint16_t last_row, uint16_t md_row, uint16_t bl_last_row)。
2. 在SWD更新时跳过某一行。 Infineon提供了PPCLI进行自定义烧写，因为Infineon的HEX的校验（checksum）包括对每一行flash和整体flash。所以，如果在SWD烧写时不想要更新某一行，需要自定义时跳过相关的flash row，并且计算相对应的Checksum。相对应的API可以是：PSoC4_ProgramRow(IN rowID, nvector IN data)或者PSoC4_ProgramRowFromHex(IN rowID)进行更新，请不要使用标准参考代码里面的PSoC4_EraseAll()。
一般对于某一行flash特殊使用简单的处理办法有2种：（建议使用第一种）
1. 在SWD更新时，这个部分flash将被更新，在其他更新方式（即只更新Application）的时候，不更新flash这个部分。
这个实现只需要将内部更新的flash access的范围进行设定即可，使用API void flash_set_access_limits (uint16_t start_row, uint16_t last_row, uint16_t md_row, uint16_t bl_last_row)。
2. 在SWD更新时跳过某一行。 Infineon提供了PPCLI进行自定义烧写，因为Infineon的HEX的校验（checksum）包括对每一行flash和整体flash。所以，如果在SWD烧写时不想要更新某一行，需要自定义时跳过相关的flash row，并且计算相对应的Checksum。相对应的API可以是：PSoC4_ProgramRow(IN rowID, nvector IN data)或者PSoC4_ProgramRowFromHex(IN rowID)进行更新，请不要使用标准参考代码里面的PSoC4_EraseAll()。
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