PSOC4 EEPROM写操作需要多长时间？为了增加EEPROM擦写次数，组件需要如何配置？

一个ROW（128字节）的写是最大20ms。
写操作是在一开辟的空间内滚动操作，参考函数：cy_en_em_eeprom_status_t Cy_Em_EEPROM_Write(uint32 addr,void * eepromData,uint32 size,cy_stc_eeprom_context_t * context)
组件配置可以参考每个参数右侧的描述以及PSoC Creator中的例程。