接近传感器进行扫描的时候，sensor上会出现高低驱动的频率波形，接近传感器通过类似天线的电极对外会形成一个辐射电场，手掌（等效GND）靠近时会吸收部分辐射电场能量，导致接近传感器与GND之间的耦合电容增大，接近传感器的 rawdata 值增加。
Shield 电极上时刻驱动扫描 sensor 的当前的驱动波形，所以 shield 电极对接近传感器 sensor 的辐射能量没有吸收能力，并且对接近传感器的电场分布有一定影响。比如说 PCB 的上层铺设接近传感器下层空白，那么接近传感器在上下两个方向的辐射电场是均匀分布的，从正面和背面靠近接近传感器得到的信号量是相当的，但是下层铺设 shield 网格之后，接近传感器的辐射能量场会倾向于向上辐射（因为 shield 本身并不吸收电场，所以起到一定的屏蔽作用），所以 shield 可以烘托接近传感器获取另一个方向上更高的灵敏度。 如果下层铺设 GND 网格，那么阶级传感器的大部分辐射能量都会被就近的GND网格吸收掉，手掌靠近时产生的信号变化量就要小的多了，也就是接近传感器的灵敏度降低了。
30cm 的接近距离只是一个理想环境下的极限理论值，实际工作环境中会有各种情况影响接近传感器的计生电容，比如温度，湿度，电磁环境等等，而且还要考虑产品的稳定性，所以接近距离需要根据实际情况来定夺。
接近传感器进行扫描的时候，sensor上会出现高低驱动的频率波形，接近传感器通过类似天线的电极对外会形成一个辐射电场，手掌（等效GND）靠近时会吸收部分辐射电场能量，导致接近传感器与GND之间的耦合电容增大，接近传感器的 rawdata 值增加。
Shield 电极上时刻驱动扫描 sensor 的当前的驱动波形，所以 shield 电极对接近传感器 sensor 的辐射能量没有吸收能力，并且对接近传感器的电场分布有一定影响。比如说 PCB 的上层铺设接近传感器下层空白，那么接近传感器在上下两个方向的辐射电场是均匀分布的，从正面和背面靠近接近传感器得到的信号量是相当的，但是下层铺设 shield 网格之后，接近传感器的辐射能量场会倾向于向上辐射（因为 shield 本身并不吸收电场，所以起到一定的屏蔽作用），所以 shield 可以烘托接近传感器获取另一个方向上更高的灵敏度。 如果下层铺设 GND 网格，那么阶级传感器的大部分辐射能量都会被就近的GND网格吸收掉，手掌靠近时产生的信号变化量就要小的多了，也就是接近传感器的灵敏度降低了。
30cm 的接近距离只是一个理想环境下的极限理论值，实际工作环境中会有各种情况影响接近传感器的计生电容，比如温度，湿度，电磁环境等等，而且还要考虑产品的稳定性，所以接近距离需要根据实际情况来定夺。
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