晶体管Ⅴbe扩散现象是什么？

1、晶体管的Vbe扩散现象是指在晶体管的发射极和基极之间存在一个电压下降，这是由于扩散现象导致的。当晶体管工作时，基极电流会造成发射极与基极之间的电位差，这个电位差与基极电流呈指数关系。由于扩散现象，发射极与基极之间的电压峰值会随着电流的增大而变小。

加入电阻的目的是为了保证流过每个晶体管的电流近似相同。由于晶体管的Vbe扩散现象导致电压峰值的变小，如果不加电阻的话，一些晶体管可能会将较大的电流分担，导致晶体管工作不稳定。通过在每个晶体管的发射极上串联一个小电阻，可以使得每个晶体管都能够得到相对均等的电流，提高并联晶体管的工作可靠性。

2、场效应管的漏极电流具有负温度系数，即随着温度的升高，沟道电阻增大，漏极电流会减小。这是因为场效应管的沟道电阻比较大，沟道电阻随着温度的升高而增大，从而使得漏极电流减小。因为漏极电流受到温度的影响较小，所以在并联时不需要添加额外的元件来控制漏极电流，可以直接并联使用。这样可以减少电路的复杂度和功耗。