在制造NPN型管时，若制作多个发射区，则得到多发射极管，这种管子广泛用于集成数字
电路
在制作横向P NP型管时，若制作多个集电区，则得到多集电极管，各集电极电流之比决定于对应的集电区面积之比。这种管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析？按照我的理解，在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时，如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的
电源回路中，则分析时则按照单独的晶体管电路分析，与一般晶体管电路无差。
如果多发射极或多集电极的电路在非多极的一侧全部短起来当作一个晶体管，那么此时的关系可以看作一个或门的关系，只要有一路导通，则晶体管就实现放大，似于多路比较器的输出，NPN型晶体管多发射极分别接到比较器的输出端，集电极共用一路上拉电阻连接至电源，如果多路比较器有一路导通，则该多发射极晶体管集电极输出导通拉低，电平为低电平。
不知是否是我理解的这样？
