ADUC7061如何使用C语言实现EEPROM功能？

在ADUC7061微控制器上实现EEPROM功能，可以使用其内部的闪存（Flash）来模拟EEPROM。以下是一个用C语言实现EEPROM功能的示例代码：

1. 首先，定义一个数据结构来保存需要保存的数据（如3-5个数据）：

```c
typedef struct {
  int data1;
  float data2;
  char data3;
  // Add more data members if needed
} EEPROMData;
```

2. 接下来，定义一些函数来实现EEPROM的读写操作：

```c
#define EEPROM_SIZE sizeof(EEPROMData)
#define EEPROM_BASE_ADDR 0x1000 // 在闪存中选择一个适当的基地址

// 从EEPROM中读取数据
void eeprom_read(EEPROMData *data) {
  // 备份闪存中的数据到RAM中的一个临时结构体中
  memcpy((void*)data, (void*)EEPROM_BASE_ADDR, EEPROM_SIZE);
}

// 将数据写入EEPROM
void eeprom_write(EEPROMData *data) {
  // 将数据从RAM写入闪存
  memcpy((void*)EEPROM_BASE_ADDR, (void*)data, EEPROM_SIZE);
}
```

3. 调用这些函数来读取和写入数据：

```c
int main() {
  EEPROMData data;

  // 读取数据
  eeprom_read(&data);

  // 在数据结构中更新需要保存的数据
  data.data1 = 10;
  data.data2 = 3.14;
  data.data3 = 'A';

  // 将更新后的数据写入EEPROM
  eeprom_write(&data);

  return 0;
}
```

在需要保存数据时，调用`eeprom_read`函数读取数据，修改数据结构中的值，然后调用`eeprom_write`函数将更新后的数据写入EEPROM。可以根据需要修改数据结构和存储地址。

注意：使用Flash来模拟EEPROM功能可能会导致闪存的寿命减少，因为每次写入都会擦除整个扇区。因此，在每个数据结构中添加冗余数据或使用错误检测码可以提高数据的安全性。此外，闪存的写入速度也相对较慢，因此频繁读写操作可能会影响系统性能。