采用了LTC3789推荐
电路设计的一款12V
电源，该电源用于整车上，输入电源即为蓄电池（7－16V），在GND采用了MOSFET作为防反接，负载为2－3R加热线，采用200HZ的PWM控制，但是目前在使用上发现三例功率MOSFET（SIR442DP） Q5损坏且芯片EXTVCC管脚与GND短路
损坏后的MOSFET呈以下特性
：1、用万用表二极管档测量：VDD-S 为无穷大，VDS-D ：0.376V，栅极测量正常，芯片EXTVCC与GND直流阻抗为（正反向）19.58R；
2、用万用表二极管档测量：VDD-S 为2.020V，VDS-D ：0.256V，栅极测量正常，芯片EXTVCC与GND直流阻抗为（正反向）19.58R
请问ADI的技术人员提供一个分析的方向；或者：当VIN_H骤降时，是否会有一个径反向的电流流过Q5，导致Q5内部的寄生二极管因为瞬间大电流而导致热击穿？
2、是什么原因导致EXTVCC与GND短路；是否会有过压的风险？
