半导体放电管是一种采用半导体工艺制成的PNPN结四层结构器件，其伏安特性与晶闸管类似，具有典型的开关特性。当浪涌电压超过转折的电压VBO时，器件被导通，这时它呈现一般PN结二极管的正向电压降（VF）和等效的导通电压（VT）特性，被保护
电路上仅施加相当于导通电压的电压值（只有几伏）。当浪涌流过后，电流慢慢减少到维持电流（IH）水平以下，此时器件关闭，工作点又回到原来位置，被保护电路流过正常电压。
这种器件有如下特点：
（1）器件的直流放电开启电压（Vs）与响应时间（s）的关键基本上不随涌电压上升率的增加而增加。
（2）该器件经反复浪涌后其流放电开启电压基本上保持不变。
（3）浪涌电流增加时，该器件的直流放电开启电压基本保持不变。
（4）该器件经反复浪涌后其转折电压基本保持不变。
另外，该器件还具有响应速率快、不需多级防护电路、耐电流量大、静电容量小的可靠性高等优点，特别适用于电信工业防护雷电浪涌。
