碳化硅功率模块的关键特性：更高的开关频率，使用更少的滤波
元件并降低其成本；冷却设备更紧凑，降低功率损耗，从而提升效率并降低系统成本和规模。
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全碳SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。
