存储区特性 内置高达128K字节支持ECC的Flash 内置高达 4K字节支持ECC的数据EEPROM Flash擦除次数10K次 存储区包括主Flash / 数据EEPROM / 信息块 访问时间62.5ns(Range1) / 125ns(Range2) /500ns(Range3) 字(32位)/半页(128字节) 的编程时间3.2ms(典型值) 页擦除3.2ms(典型值) 整片擦除9.6ms(典型值) Flash接口 (FLITF) 特性 支持预取指缓冲的读操作 Op
tion Bytes 的装载 多种保护机制 读保护Level 1 和 Level 2 (JTAG Fuse) 写保护
