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STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader通过串口1烧写程序怎么解决?

  STM32H750VBT6无法使用flymcu.exe或flashloader,通过串口1烧写程序

1、flymcu.exe----读器件信息
DTR电平置高(+3-+12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变低(-3--12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...4, 接收到:79 1F
在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒
芯片内BootLoader版本号:3.1
芯片PID:00000450  
芯片已设置读保护

2、flymcu.exe----开始编程----提示设置读保护
DTR电平置高(+3-+12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变低(-3--12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...5, 接收到:1F 1F
在串口COM55连接成功@115200bps,耗时922毫秒
芯片内BootLoader版本号:3.1
芯片PID:00000450  
芯片已设置读保护
芯片有读保护,请先擦除器件以清除读保护
开始去除读保护(全片擦除时间会比较长,请耐心等候!)
去除读保护,并擦除成功
DTR电平置高(+3-+12V),复位
RTS置高(+3-+12V),选择进入BootLoader
...延时100毫秒
DTR电平变低(-3--12V)释放复位
RTS维持高
开始连接...4, 接收到:79 1F
在串口COM55连接成功@115200bps,耗时703毫秒
芯片内BootLoader版本号:3.1
芯片PID:00000450  
芯片已设置读保护
第828毫秒,已准备好
开始编程芯片,共需写入14KB,耗时828毫秒
调试信息:32readbytescount 64len
调试信息:-9 STM_ReadMemory
写入出错在0KB,进度0%,耗时1453毫秒




回帖(1)

周芸

2023-8-5 15:14:49
看到了好多读保护的信息,这样行不通。
建议先用SWD接口的烧录器读出option byte 看看有没有异常。
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