1. 调整电路参数和选型：可以增加电感L1的值，使得Q2导通和关断的时间变短，从而增加储能和放电的速度。另外，可以选择具有更高开关速度和更低导通电阻的MOS管来代替Q2，以提高开关效率和转换速度。
2. 替代方法做小MOS：可以考虑使用多级升压电路，将500V的高压分解成多个低压级的升压电路，从而每个级别所需要的耐压就会降低，进而减小所需的MOS管尺寸。
3. 替代的升压电路：除了已有的反激式升压电路，还可以考虑采用共振式升压电路或者多电平升压电路。通过合理设计电路拓扑和参数，可以实现更高效率和更快速的升压。
1. 调整电路参数和选型：可以增加电感L1的值，使得Q2导通和关断的时间变短，从而增加储能和放电的速度。另外，可以选择具有更高开关速度和更低导通电阻的MOS管来代替Q2，以提高开关效率和转换速度。
2. 替代方法做小MOS：可以考虑使用多级升压电路，将500V的高压分解成多个低压级的升压电路，从而每个级别所需要的耐压就会降低，进而减小所需的MOS管尺寸。
3. 替代的升压电路：除了已有的反激式升压电路，还可以考虑采用共振式升压电路或者多电平升压电路。通过合理设计电路拓扑和参数，可以实现更高效率和更快速的升压。
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Leeeee123:
根据E=L*I*I*0.5=V*V*△t*△t*0.5/L，可知当储能电压和储能时间一定时，电感量越小，储能越多，所以电感量应该减小。
但由于实际的储能电路中存在一定的等效电阻，所以电感的电流有最大值。当电感量小到一定程度后，储能反而会降低。根据△I=V*△t/L=V/R，其中R为线路中的等效电阻，可得L满足此公式时，所储得的能量最多。
所以储能时间仅有200us的情况下，应该减低线路中的等效电阻，同时选取较小的电感以满足要求。
以上是我对第一点的思考，与你的意见不同，还请指教。
另外共振式升压电路我没找到相关资料，可否略微讲解，感谢！
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