M451中FMC控制flash读写，数据可否做到写100万次？

M451中的Flash写入寿命通常是在10万次左右，无法实现100万次的写入寿命。为了实现高写入寿命，可以采用以下机制：

1.使用EEPROM代替Flash进行数据保存，EEPROM的写入寿命可以高达100万次以上。

2.采用 wear-leveling 技术，在多个Flash页面之间平衡写入次数，延长Flash的写入寿命。

3.使用Flash芯片提供的ECC（错误检测与纠正）功能，提高Flash数据的可靠性和稳定性。

对于例程，可以参考M451的官方资料和开发工具，如M451系列MCU库函数手册、U-Link2调试器、Keil MDK等。