FLS写代码闪存失败的原因?

我使用 RTD 包擦除写入和读取内部闪存。它在数据闪存上是成功的，但是当我将地址更改为代码闪存时，写入和读取都失败了。
然后我调试发现Register MCR->PGM在擦除后已经变成了1。但是我找不到它是在哪里改变的。