是MOSFET。
IGBT可以承受更高的电压，而MOSFET一般只能承受100V以下。
IGBT的导通损耗比MOSFET要大，这意味着用IGBT时，能量损失大，并且由于IGBT发热比MOSFET大，散热片也会大很多。
电动自行车的电压一般比较小，也就几十V，这时候用MOSFET显然更合适（效率高，且散热要求小）
是MOSFET。
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IGBT的导通损耗比MOSFET要大，这意味着用IGBT时，能量损失大，并且由于IGBT发热比MOSFET大，散热片也会大很多。
电动自行车的电压一般比较小，也就几十V，这时候用MOSFET显然更合适（效率高，且散热要求小）
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