对于MOSFET型场效应管来说，他有三个电极，即栅极G（控制）、漏极D和源极S（被控制），对于N沟道的（就是箭头指向栅极的内个）D、G接高电平（+），S接低电平（-），D、S导通（VGS要大于夹断电压，约为1V左右，根据管子不同夹断电压也不同），电流方向为D-->S 一般G的电压（相对于S）不能大于30V，否则会击穿！（一般为10V左右）同时DS两端的耐压，和所能承受的电流也一个考虑到（例如2N60B IDS=2A VDS=600V）最后还有跨导（gm）
对于MOSFET型场效应管来说，他有三个电极，即栅极G（控制）、漏极D和源极S（被控制），对于N沟道的（就是箭头指向栅极的内个）D、G接高电平（+），S接低电平（-），D、S导通（VGS要大于夹断电压，约为1V左右，根据管子不同夹断电压也不同），电流方向为D-->S 一般G的电压（相对于S）不能大于30V，否则会击穿！（一般为10V左右）同时DS两端的耐压，和所能承受的电流也一个考虑到（例如2N60B IDS=2A VDS=600V）最后还有跨导（gm）
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