在本文中，我们将解释针对不同的应用和工作条件仔细选择IGBT变体如何提高整体系统效率。
IGBT模块中的损耗大致可分为两类：
传导
开关
众所周知，对于特定电压下的任何给定过程，降低传导损耗的努力将导致开关损耗的妥协，反之亦然。因此，针对特定操作优化的单个模块无法在整个操作窗口中为不同的应用需求提供一站式解决方案。传统上，
半导体制造商提供任何电压电平的一个模块，以适应许多应用，在标称条件下工作。这种方法限制了从一个逆变器单元到另一个逆变器单元的设计灵活性和优化，在某些拓扑中，在单个逆变器单元内也是如此。
适用于不同工作频率的IGBT有助于提高效率
戴通的新产品展示了提供针对不同工作频率进行优化的IGBT的优势如何有助于提高整体系统效率。在 3 L NPC 逆变器拓扑中，与所有插槽的单个模块相比，每相选择两个不同的模块可显著提高效率。
在图1右的3L NPC拓扑中，IGBT的T1至T4占了大部分损耗，其次是NPC二极管D5和D6。D1至D4的损失通常导致总体份额非常低。
开关损耗主导IGBT T1和T4的总损耗，而传导损耗主导T2和T3。
因此，为 T1 和 T4 选择高频优化型 IGBT 变体 DIM1500ESM33-MF（从这里开始称为 MF），为 T2 和 T3 选择传导优化型 DIM1500ESM33-MS（从这里开始称为 MS），与针对单个操作优化的任何单个 IGBT 相比，可在整个频谱范围内模拟更高的整体效率。
图 1：3L 鼻咽癌相腿的内容物。
图 2a：每相半导体功率损耗 （W） 与频率 （Hz） MS 与 MF 以及 MF + MS 的优化使用。
图2a显示了每相损耗，对比了Dynex MS和MF变体模块以及MS + MF优化组合之间的对比。为了进一步比较，图2b覆盖了四个竞争对手模块的相同数据。
图 2b：使用 Dynex MS 和 MF 变体模块与来自四个竞争对手的模块的功率损耗比较。
用于导通和开关的戴新 IGBT
针对传导优化的Dynex IGBT（DIM1500ESM33-MS）优于设计为平均开关和传导性能的竞争对手模块，工作频率低于约550Hz。戴耐力的开关优化型号 （DIM1500ESM33-MF） 同样优于 550Hz 以上操作的竞争模块，使 MS 和 MF 变体分别成为低频和高频操作的理想选择。精心组合MS+MF模块可进一步优化系统性能，与现有竞争对手相比，Dynex IGBT性能具有更大的优势。
随着对更高效率系统的规范不断提高，这表明设计人员不仅应考虑在系统之间进行优化，还应考虑在系统中某个阶段的不同插槽内进行优化（如果相关）。
