1. 开关模式
电源的启动
电路 - SMPS
SMPS的传统启动电路方法是通过功率电阻和齐纳二极管。在这种方法中，即使在启动阶段之后，功率电阻也会连续消耗功率。这会导致
PCB上过热、效率低下以及SMPS的输入电压工作范围有限。或者，可以采用基于耗尽模式MOSFET的方法，如图4所示。耗尽型 MOSFET 提供 PWM IC 启动操作所需的初始电流。在启动阶段之后，辅助绕组将为PWM IC产生所需的功率。在正常工作期间，耗尽型 MOSFET 由于其低静态电流而消耗的功率最小。这种方法的主要优点是理论上启动序列后的功耗为零，从而提高了整体效率。此外，它在PCB上占用的面积更小，可实现宽输入直流电压范围，这对于太阳能逆变器等许多应用至关重要。
SMPS启动电路中的耗尽模式MOSFET
2. 线性稳压器的浪涌保护
线性稳压器为小型模拟电路、CMOS IC或任何其他需要低电流的负载供电，其中输入电压V在直接来自总线电压。这可能会有很大的电压变化，包括由于应用环境而导致的高压尖峰。耗尽型MOSFET可用于在线性稳压器电路中实现浪涌保护，如图5所示。MOSFET 以源极跟随器配置连接。电源上的电压将跟随栅极上的电压。耗尽型MOSFET的导通完全取决于其栅极电压，并且与其漏极电压无关。此配置用于减轻任何电压瞬变，直至达到器件额定电压 V 的承受能力DS.基于耗尽型 MOSFET 的解决方案的优点是宽直流工作电压范围 V在由于 MOSFET 的低静态电流，功耗最小。这种保护的可能用途是在电信电路中，以减轻雷击引起的瞬变。另一种可能性是在汽车和航空
电子应用中减轻感性负载引起的瞬态。
采用耗尽模式MOSFET的浪涌保护电路
3. 恒流源
耗尽型 MOSFET 可用于实现恒定电流源，如图 6 所示。它根据电阻R的值和栅极截止电压V为负载提供恒定电流一般事务人员（关闭）。当前的ID因此与电压 V 无关在。电流相当于 （I_{D}approxfrac{V_{GS（off）}}{R}）。这种电流源可以在LED阵列驱动器、涓流充电器电路中，以维持监控系统的电池充电，或以恒定速率为电容器充电。
采用耗尽模式 MOSFET 的恒流源
4. 高压斜坡发电机
自动测试设备等应用需要输出电压和时间之间具有线性关系的高压斜坡。耗尽型MOSFET可以配置为设计高压斜坡发生器，如图7所示。恒流源通过电阻R1为电容器C充电，并产生电压斜坡V。外在电容器两端。线性MOSFET可通过控制信号导通，以复位斜坡电压，通过R2将电容器放电至零。电阻R2用于限制线性MOSFET在其SOA额定值内工作的放电电流。
使用耗尽型MOSFET的高压斜坡发生器
5. 高压保护电路
耗尽型 MOSFET 可用于保护测量仪器免受测量探头意外连接到高压 V 引起的破坏性高电压的影响测量和测量（图8）。在这种情况下，以背靠背配置配置的MOSFET S1和S2将通过限制电流来保护仪器。这将为探头上的正电压和负电压提供保护。这种电路的可能用途是台式或手持式仪器。
采用耗尽模式MOSFET的高压保护电路
6. 固态继电器
耗尽型 MOSFET 非常适合实现固态继电器 （SSR） 来代替机电继电器 （EMR），用于负载切换，如图 9 所示。SSR 的重要优点是不受磁场影响、由于没有机械触点而具有更高的可靠性、通过消除触点抖动实现平稳运行以及节省 PCB 空间。医疗设备、工业自动化、测量和测试设备以及消费电子产品等应用是广泛使用 SSR 的示例。
采用耗尽模式 MOSFET 的固态继电器
