为什么FMC总线总是将外部SDRAM操作复制到另一个地址位置上呢？

我通过 FMC 总线将 STM32F469 与外部 SDRAM (Alliance AS4C16M16MSA-6BIN) 一起使用。STM32F469 和 AS4C16M16MSA-6BIN 均在 1.8V 下运行。FMC 总线配置有 13 个地址引脚和 16 个数据引脚，如下所示：

• hsdram1.Instance = FMC_SDRAM_DEVICE;
• /* hsdram1.Init */
• hsdram1.Init.SDBank = FMC_SDRAM_BANK1;
• hsdram1.Init.ColumnBitsNumber = FMC_SDRAM_COLUMN_BITS_NUM_9;
• hsdram1.Init.RowBitsNumber = FMC_SDRAM_ROW_BITS_NUM_13;
• hsdram1.Init.MemoryDataWidth = FMC_SDRAM_MEM_BUS_WIDTH_16;
• hsdram1.Init.InternalBankNumber = FMC_SDRAM_INTERN_BANKS_NUM_4;
• hsdram1.Init.CASLatency = FMC_SDRAM_CAS_LATENCY_3;
• hsdram1.Init.WriteProtection = FMC_SDRAM_WRITE_PROTECTION_DISABLE;
• hsdram1.Init.SDClockPeriod = FMC_SDRAM_CLOCK_PERIOD_2;
• hsdram1.Init.ReadBurst = FMC_SDRAM_RBURST_DISABLE;
• hsdram1.Init.ReadPipeDelay = FMC_SDRAM_RPIPE_DELAY_1;
• /* Timing configuration for 75 MHz of SDRAM clock frequency () */
• SdramTiming.LoadToActiveDelay = 2;
• SdramTiming.ExitSelfRefreshDelay = 7;
• SdramTiming.SelfRefreshTime = 4;
• SdramTiming.RowCycleDelay = 7;
• SdramTiming.WriteRecoveryTime = 2;
• SdramTiming.RPDelay = 2;
• SdramTiming.RCDDelay = 2;
  

而SDRAM配置为：

• __IO uint32_t tmpmrd = 0;
• /* Step 1: Configure a clock configuration enable command */
• Command.CommandMode      = FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE;
• Command.CommandTarget     = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
• Command.AutoRefreshNumber   = 1;
• Command.ModeRegisterDefinition = 0;
• /* Send the command */
• HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
• /* Step 2: Insert 100 us minimum delay */
• /* Inserted delay is equal to 1 ms due to systick time base unit (ms) */
• HAL_Delay(1);
• /* Step 3: Configure a PALL (precharge all) command */
• Command.CommandMode      = FMC_SDRAM_CMD_PALL;
• Command.CommandTarget     = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
• Command.AutoRefreshNumber   = 1;
• Command.ModeRegisterDefinition = 0;
• /* Send the command */
• HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
• /* Step 4: Configure an Auto Refresh command */
• Command.CommandMode      = FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE;
• Command.CommandTarget     = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
• Command.AutoRefreshNumber   = 4;
• Command.ModeRegisterDefinition = 0;
• /* Send the command */
• HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
• /* Step 5: Program the external memory mode register */
• tmpmrd = (uint32_t)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1     |
•            SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL  |
•            SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3      |
•            SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |
•            SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;
• Command.CommandMode      = FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE;
• Command.CommandTarget     = FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;
• Command.AutoRefreshNumber   = 1;
• Command.ModeRegisterDefinition = tmpmrd;
• /* Send the command */
• HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1, &Command, SDRAM_TIMEOUT);
• /* Step 6: Set the refresh rate counter */
• /* Set the device refresh rate */
• HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1, RefreshCount);
  

我正在 SDRAM 上运行地址总线测试。

• datum *
• BSP_SDRAM_MemTestAddressBus(volatile datum * baseAddress, uint32_t nBytes)
• {
•         uint32_t addressMask = (nBytes/sizeof(datum) - 1);
•         uint32_t offset;
•         uint32_t testoffset;
•         datum pattern                 = (datum) 0xAAAAAAA;
•         datum antipattern         = (datum) 0x55555555;
•         /*
•          * Write the default pattern at each of power-of-two offsets
•          * */
•         for (offset = 1; (offset & addressMask) != 0; offset ++)
•         {
•                  *(__IO uint32_t*) (SDRAM_DEVICE_ADDR + 4*offset) = pattern;
•         }
•         /*
•          * Write the default pattern at each of power-of-two offsets
•          * */
•         for (offset = 1; (offset & addressMask) != 0; offset <<= 1)
•         {
•                 baseAddress[offset] = pattern;
•         }
•         /*
•          * Check for address bits stuck high.
•          * */
•         testoffset = 2;
•         baseAddress[testoffset] = antipattern;
•         for (offset = 1; (offset & addressMask) != 0; offset <<= 1)
•         {
•                 if (baseAddress[offset] != pattern)
•                 {
•                         return ((datum *) &baseAddress[offset]);
•                 }
•         }
•         baseAddress[testoffset] = pattern;
•         /*
•          * Check for address bits stuck low or shorted.
•          * */
•         for (testoffset = 1; (testoffset & addressMask) !=0; testoffset <<=1)
•         {
•                 baseAddress[testoffset] = antipattern;
•                         if (baseAddress[0] != pattern)
•                         {
•                                 return ((datum *) &baseAddress[testoffset]);
•                         }
•                 for (offset = 1; (offset & addressMask) != 0; offset <<=1)
•                 {
•                         if ((baseAddress[offset] != pattern) && (offset != testoffset))
•                         {
•                                 return ((datum *) &baseAddress[testoffset]);
•                         }
•                 }
•                 baseAddress[testoffset] = pattern;
•         }
•         return (NULL);
• }/* memTestAddressBus() */
  

问题是，当访问一个地址时，它总是将操作复制到另一个地址位置。内存读取如下：

我简单的写了0xAAAAAAA到0xC00000004这个位置，同时更新了0xC0000000C里面的数据。
关于这个问题有什么建议吗？提前致谢。