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使用stm32f070c6构建项目时显示闪存溢出错误怎么解决?
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内存溢出
大家好,
我正在使用
STM32
f070c6,我正在开发 USB_CDC 的应用程序,当我构建项目时它显示错误
1. .text' 不适合区域“FLASH”
2. ‘FLASH’溢出12480字节
实际上我已经将堆大小增加到 0x400 并将堆栈大小增加到 0x400,在我的程序中我使用了 64 字节的缓冲区大小,
你能帮我解决如何克服闪存溢出错误吗?
回帖
(1)
刘文明
2023-1-5 09:52:37
我对每个 ARM Cortex 做的一些事情:
使用链接时间优化器 (-flto) 进行编译
对于发布版本,除非我绝对需要速度优化,否则我会优化大小 (-Os)
让链接器删除未使用的部分(--gc-sections)
与 newlib-nano 链接 (--specs=nano.specs)
永远不要使用系统调用 (--specs=nosys.specs)
如果这些都不能解决问题,那么您的项目中一定有某些东西分配了大量的 FLASH。任何大型静态常量数组,有机会吗?
我对每个 ARM Cortex 做的一些事情:
使用链接时间优化器 (-flto) 进行编译
对于发布版本,除非我绝对需要速度优化,否则我会优化大小 (-Os)
让链接器删除未使用的部分(--gc-sections)
与 newlib-nano 链接 (--specs=nano.specs)
永远不要使用系统调用 (--specs=nosys.specs)
如果这些都不能解决问题,那么您的项目中一定有某些东西分配了大量的 FLASH。任何大型静态常量数组,有机会吗?
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