我目前正在为
STM32g474ccu6 MCU（256kB 闪存）设计引导加载程序和应用程序。今天我想实现一个引导加载程序功能，允许用户应用程序在闪存中占用多个闪存组（我在双组模式下工作——默认配置）。我不太清楚 128 或 256 kB 闪存的 RM0440 闪存布局是什么样的。让我们假设一个 256 kB 版本：
- 银行是否分为两个 128 kB 块，然后第二个银行起始地址等于 0x08002000？
- 还是它们之间有一个间隙闪存区域而停止使用（RM 中的 bank2 起始地址似乎是恒定的？）
我对其进行了测试，令我惊讶的是，我能够使用 HAL 库中的 bank1 设置和从 0x08001f800（大概是 bank 1 的最后一页）开始的地址为 40 kB（大概是 bank 2 的第一页）对闪存进行编程！这实际上与我的两个理论相矛盾 - 似乎我的 stm32g474ccu6 完全充当 512 kB 单元（即使考虑到银行部门）。这怎么可能？
我实际上可以读取整个 512 kB 内存（它在不同的闪存版本中是相同的芯片，只是没有经过测试，对吗？），所以我猜银行之间的划分总是在 0x0804 0000 处进行，但是有一个不连续的区域可能或可能不起作用（取决于制造过程？）。
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